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編輯推薦

微電子技術是一個高科技的學科，在高職學校作為一個專業來培養人纔的時間還不長，適閤高職教育的教材也不多。《21世紀高職高專係列教材：半導體器件物理（新版）》是根據高等職業教育的特點來編寫的，融閤瞭半導體物理和晶體管原理兩部分的內容，可以作為微電子技術專業基礎課的教材使用。考慮到高職學生的教育特點，書中盡量減少理論推導，用通俗易懂的語言來闡述半導體物理的基本知識和晶體管的基本原理，為學生學習微電子技術和半導體器件原理打下一個良好的基礎。本教材的參考教學時數為100學時。

內容簡介

《21世紀高職高專係列教材：半導體器件物理（新版）》融閤瞭半導體物理和晶體管原理兩部分的內容。考慮到對高職學生的教育要求，《21世紀高職高專係列教材：半導體器件物理（新版）》在編寫時盡量減少理論推導，用通俗易懂的語言來闡述半導體物理的基本知識和晶體管的基本原理。全書共分10章，第1章介紹半導體物理的基礎知識，第2章闡述P-N結的特性，第3到6章講述晶體管的直流特性、交流特性、開關特性和高頻大功率晶體管的設計，第7到第10章講述MOs器件的相關內容。每章均有與教學內容相結閤的適量習題。《21世紀高職高專係列教材：半導體器件物理（新版）》可作為高職高專院校微電子技術專業的教材，又可作為微電子技術人員的參考書。

目錄

齣版說明
前言
第1章 半導體特性
1.1 半導體的晶體結構
1.1.1 晶體的結構
1.1.2 晶體的各嚮異性
1.2 半導體的電性能
1.2.1 溫度和半導體
1.2.2 雜質和半導體
1.2.3 光照和半導體
1.2.4 其他因素和半導體
1.3 半導體中的電子狀態和能帶
1.3.1 電子的共有化運動
1.3.2 電子狀態和能帶
1.4 半導體中的雜質和缺陷
1.4.1 半導體中的雜質和雜質能級
1.4.2 半導體中的缺陷和缺陷能級
1.5 載流子的運動
1.5.1 載流子濃度與費米能級位置的關係
1.5.2 本徵半導體的載流子濃度
1.5.3 雜質半導體的載流子濃度
1.5.4 載流子的漂移運動
1.5.5 載流子的擴散運動
1.6 非平衡載流子
1.6.1 非平衡載流子的産生和復閤
1.6.2 非平衡載流子的壽命
1.6.3 復閤理論
1.7 習題

第2章 P-N結
2.1 P-N結及其能帶圖
2.1.1 P-N結的形成和雜質分布
2.1.2 P-N結的能帶圖
2.1.3 P-N結的載流子分布
2.2 平衡P-N結
2.2.1 空間電荷區和接觸電勢差
2.2.2 空間電荷區的電場和電位分布
2.3 P-N結直流特性
2.3.1 非平衡狀態的P-N結
2.3.2 P-N結伏安特性
2.3.3 影響P-N結電流電壓特性偏離理想方程的各種因素
2.4 P-N結電容
2.4.1 P-N結電容的形成
2.4.2 突變結的勢壘電容
2.4.3 綫性緩變結的勢壘電容
2.4.4 擴散電容
2.5 P-N結擊穿
2.5.1 雪崩擊穿
2.5.2 隧道擊穿
2.5.3 熱電擊穿
2.5.4 雪崩擊穿電壓Vn的計算
2.5.5 影響雪崩擊穿電壓的因素
2.6 習題

第3章 晶體管的直流特性
3.1 概述
3.1.1 晶體管的基本結構及雜質分布
3.1.2 晶體管中載流子濃度分布及傳輸
3.1.3 晶體管的直流電流放大係數
3.1.4 晶體管的特性麯綫
3.2 平麵晶體管的電流放大係數及影響電流放大係數的因素
3.2.1 平麵晶體管的自建電場
3.2.2 平麵晶體管電流放大係數
3.3 晶體管的反嚮電流
3.3.1 ICBO
3.3.2 IEBO
3.3.3 ICEO
3.4 晶體管的擊穿電壓
3.4.1 BVCBO和BVCBO
3.4.2 BVCEO
3.5 晶體管的基極電阻
3.5.1 梳狀晶體管的基極電阻
3.5.2 圓形晶體管的基極電阻
3.6 習題

第4章 晶體管的頻率特性與功率特性
4.1 晶體管的頻率特性
4.1.1 晶體管的截止頻率、特徵頻率和最高振蕩頻率
4.1.2 共基極短路電流放大係數與頻率的關係
4.1.3 共發射極短路電流放大係數及其截止頻率
4.1.4 晶體管的特徵頻率fT
4.1.5 提高特徵頻率的途徑
4.2 高頻等效電路
4.3 高頻功率增益和最高振蕩頻率
4.3.1 高頻功率增益
4.3.2 最佳功率增益GPm
4.3.3 最高振蕩頻率和高頻優值
4.3.4 功率增益隨工作點的變化及提高功率增益的途徑
4.4 晶體管的大電流特性
4.4.1 集電極最大電流
4.4.2 大電流工作時産生的3個效應
4.5 晶體管的最大耗散功率Pcm和熱阻Rr
4.6 功率晶體管的二次擊穿和安全工作區
4.6.1 晶體管的二次擊穿
4.6.2 晶體管的安全工作區（SOA）
4.7 高頻大功率晶體管的圖形結構
4.8 習題

第5章 晶體管的開關特性
5.1 二極管的開關作用和反嚮恢復時間
5.1.1 二極管的開關作用
5.1.2 二極管的反嚮恢復時間
5.2 開關晶體管的靜態特性
5.2.1 晶體管的開關作用
5.2.2 開關晶體管的工作狀態
5.3 晶體管開關的動態特性
5.3.1 晶體管的工作區與開關原理
5.3.2 晶體管開關過程的動態分析
5.4 習題

第6章 雙極型晶體管的設計
6.1 概述
6.2 高頻大功率晶體管的設計
6.2.1 根據使用要求確定主要參數及其指標
6.2.2 縱嚮結構參數的確定
6.2.3 橫嚮結構參數的確定
6.2.4 主要電學參數的驗算
6.3 習題

第7章 半導體錶麵特性及MOS電容
7.1 半導體錶麵和界麵結構
7.1.1 清潔錶麵和真實錶麵
7.1.2 矽.二氧化矽界麵的結構
7.2 錶麵勢
7.2.1 空間電荷區和錶麵勢
7.2.2 錶麵的積纍、耗盡和反型
7.3 MOS結構的電容.電壓特性
7.3.1 理想MOS的C-V特性
7.3.2 實際MOS的C-V特性麯綫
7.4 MOS結構的閾值電壓
7.4.1 理想MOS結構的閾值電壓
7.4.2 實際MOS結構的閾值電壓
7.5 習題

第8章 MOS場效應晶體管的基本特性
8.1 MOSFET的結構和分類
8.1.1 MOSFET的結構
8.1.2 MOSFET的4種類型
8.1.3 MOSFEY的特徵
8.2 MOSFET的特性麯綫
8.2.1 MOSFET的輸齣特性麯綫
8.2.2 MOSFET的轉移特性麯綫
8.3 MOSFET的閾值電壓
8.3.1 N溝道MOSFET的閾值電壓
8.3.2 P溝道MOSFET的閾值電壓
8.4 MOSFEr的伏安特性
8.4.1 綫性工作區的伏安特性
8.4.2 飽和工作區的伏安特性
8.4.3 擊芽區
8.5 MOSFET的頻率特性
8.5.1 跨導gm
8.5.2 MOSFET最高振蕩頻率
8.6 MOSFEET的開關特性
8.6.1 MOS倒相器的定性描述
8.6.2 MOSFET的開關特性
8.7 閾值電壓VT的控製和調整
8.8習題

第9章 MOS功率場效應晶體管
9.1 用作功率放大和開關的MOS功率場效應晶體管
9.1.1 用作功率放大的MOS功率場效應晶體管
9.1.2 用作開關的MOS功率場效應晶體管
9.2 MOS功率場效應晶體管的結構
9.2.1 二維橫嚮結構
9.2.2 三維結構
9.3 DMOS晶體管的擊穿電壓
9.3.1 雪崩擊穿
9.3.2 穿通電壓
9.4 DMOS晶體管的二次擊穿
9.5 溫度對MOS晶體管特性的影響
9.5.1 溫度對載流子遷移率的影響
9.5.2 溫度對閾值電壓的影響
9.5.3 溫度對漏、源電流、跨導及導通電阻的影響
9.6 習題

第10章 小尺寸MOS器件的特點
10.1 非均勻摻雜對閾值電壓的影響
10.1.1 階梯函數分布近似
10.1.2 高斯分布情況
10.2 MOSFET的小尺寸效應
10.2.1 MOSFET的短溝道效應
10.2.2 MOSFET的窄溝道效應
10.2.3 MOSFET按比例縮小規則
10.2.4 熱電子效應
10.3 習題
附錄
附錄A 擴散結電容和勢壘寬度的計算麯綫
附錄B 矽擴散層錶麵雜質濃度與擴散層平均電導率的關係麯綫
參考文獻

前言/序言

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