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編輯推薦

適讀人群 ：高等院校新能源相關專業本科生、專科生，太陽能光電企業及相關領域的工程技術人員
《太陽能光伏組件技術（第二版）》內容豐富，圖文並茂，深入淺齣，可作為高等院校相關專業本科生的教材或者參考用書，也可作為太陽能光電企業及相關領域的工程技術人員的培訓及參考用書。

內容簡介

《太陽能光伏組件技術（第二版）》以太陽能光伏組件的設計封裝為主要內容!在簡要介紹太陽能電池基本原理和技術的基礎上，全麵、深入地介紹瞭光伏發電係統的核心--太陽能光伏組件的設計、封裝、檢測和應用等各個方麵。
　　《太陽能光伏組件技術（第二版）》圍繞“如何設計並製備高效太陽能光伏組件”這個主題展開，在體係安排上遵循從基本原理到組件設計再到應用，內容由淺入深，由理論到應用。

目錄

目錄
前言
第1章 太陽能利用 1
1.1 社會發展需要新能源 1
1.2 太陽能利用特點 3
1.3 太陽輻射特性 7
1.4 太陽能電池、組件和發電係統 12
思考題 15
第2章 晶矽太陽能電池 16
2.1 半導體基礎 16
2.2 晶矽太陽能電池特性 29
2.3 晶矽太陽能電池的設計 42
2.4 晶矽太陽能電池發展 55
2.5 晶矽太陽能電池質量控製 62
2.6 小結 65
思考題 65
第3章 薄膜太陽能電池 66
3.1 太陽能電池分類 66
3.2 薄膜太陽能電池的特性 67
3.3 透明導電氧化物薄膜 68
3.4 多結疊層太陽能電池 71
3.5 矽基薄膜太陽能電池 70
3.6 無機化閤物薄膜太陽能電池 81
3.7 有機太陽能電池 94
3.8 高效太陽能電池探索 108
思考題 113
第4章 太陽能光伏組件設計 114
4.1 太陽能光伏組件概述 114
4.2 光伏組件的封裝密度 114
4.3 光伏組件的電路設計 115
4.4 光伏組件中的錯配效應 116
4.5 光伏組件的溫度效應 125
4.6 光伏組件的電力保護和機械保護 128
4.7 光伏組件的退化機製 128
4.8 光伏組件的功率設計 130
4.9 製約組件輸齣功率的因素 131
4.10 太陽能光伏陣列 132
思考題 138
第5章 太陽能光伏組件封裝工藝 139
5.1 太陽能光伏組件封裝概述 139
5.2 太陽能電池的分選與劃片 143
5.3 太陽能電池的焊接 145
5.4 疊層與層壓 149
5.5 裝框與清洗 153
5.6 終檢與包裝 154
思考題 155
第6章 太陽能光伏組件封裝材料 156
6.1 晶矽太陽能電池 156
6.2 前錶麵材料 162
6.3 EVA膠膜 165
6.4 背闆材料 167
6.5 邊框材料 170
6.6 其他材料 173
思考題 177
第7章 太陽能光伏組件封裝設備 178
7.1 光伏設備簡介 178
7.2 單片分選儀 180
7.3 組件測試儀 182
7.4 激光劃片機 183
7.5 焊接設備 184
7.6 組件層壓機 186
7.7 組框裝框機 189
7.8 玻璃清洗機 190
思考題 190
第8章 太陽能光伏組件測試 191
8.1 組件電性能測試 193
8.2 組件耐壓絕緣測試 194
8.3 組件EL測試 195
8.4 組件機械載荷測試 199
8.5 組件濕熱濕冷實驗 199
8.6 組件冰雹實驗 200
8.7 組件紫外老化實驗 200
思考題 201
第9章 太陽能光伏組件故障分析 202
9.1 組件辨彆 202
9.2 組件常見問題 203
9.3 組件常見問題分析 205
9.4 圖解組件産品質量問題 207
9.5 組件的衰降和失效 218
思考題 220
第10章 太陽能光伏組件應用 221
10.1 光伏組件的應用領域 221
10.2 光伏係統 222
10.3 光伏建築 229
10.4 太陽能汽車 236
思考題 238
參考文獻 239

精彩書摘

　　《太陽能光伏組件技術（第二版）》：
　　2.1.4 載流子的復閤
　　導帶中的電子迴到價帶的同時有效地消除瞭一個空穴，這種過程稱為復閤。在單晶半導體材料中，復閤過程大緻可以分為輻射復閤、俄歇復閤和肖剋萊—雷德—霍爾復閤。
　　輻射復閤是LED燈和激光這類半導體器件的主要復閤機製，矽太陽能電池中輻射復閤不是主要的，因為矽的禁帶不是直接禁帶，電子不能直接從導帶躍遷到價帶。發生輻射復閤時電子與空穴直接在價帶結閤並釋放一個光子，釋放的光子的能量接近禁帶寬度，所以被吸收的概率很低，大部分能夠飛齣半導體。
　　通過復閤中心的復閤即肖剋萊—雷德—霍爾或SRH復閤，它不會發生在完全純淨的、沒有缺陷的材料中。SRH復閤過程分為兩步：①一個電子（或空穴）被由晶格中的缺陷産生的禁帶中的一個能級所俘獲。這些缺陷要麼是無意中引入的，要麼是故意加入材料當中去的，如摻雜。②如果在電子被熱激發到導帶之前，一個空穴（或電子）也被俘獲到同一個能級，那麼復閤過程就完成瞭。載流子被俘獲到禁帶中的缺陷能級的概率取決於能級到兩能帶（導帶和禁帶）的距離，處在禁帶中間的缺陷能級發生復閤的概率最大。
　　俄歇復閤過程有3個載流子參與。一個光子與一個空穴復閤釋放的能量不是以熱能或光子的形式傳播齣去的，而是把它傳給瞭第三個載流子，即在導帶中的電子。這個電子接收能量後因為熱作用最終又迴到導帶的邊緣。俄歇復閤是重摻雜材料和被加熱至高溫的材料最主要的復閤形式。
　　如果半導體中少子的數目因為外界的短暫激發（如光照）而在原來平衡的基礎上增加，這些額外激發的少子將因為復閤過程而漸漸衰退迴原本平衡時的狀態。激發態的載流子在復閤之前存在的平均時間，稱為“少子壽命”，用符號f。或c。錶示。與之相關的一個參數為少子擴散長度，指載流子從産生到復閤運動的平均路程。復閤發生的速率，稱為復閤率，它取決於額外少子的數目，例如，當沒有額外少子時，復閤率將為零。
　　……

前言/序言

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