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內容簡介
光泵浦麵發射半導體激光器是一種新型的半導體激光器,它兼有常規電泵浦邊發射和麵發射半導體激光器的優點,具有輸齣功率高、光束質量好、轉換效率高、光譜調諧範圍寬、輸齣波長覆蓋紫外到中紅外波段等突齣優勢,已經成為當前國際研究的熱點之一。《光泵浦垂直外腔麵發射半導體激光技術》針對光泵浦麵發射半導體激光器的設計理論、製備工藝及輸齣特性展開瞭詳盡介紹,內容包括半導體增益介質芯片設計與外延生長、芯片封裝製備工藝、芯片的熱特性、激光器輸齣特性及其調製特性等。
目錄
第1章 引論
1.1 研究意義
1.2 光泵浦垂直外腔麵發射半導體激光器的發展曆程與研究現狀
1.3 光泵浦垂直外腔麵發射半導體激光器的基本原理、結構與材料體係
1.4 光泵浦垂直外腔麵發射半導體激光器的應用
參考文獻
第2章 半導體激光泵浦源技術
2.1 半導體激光器簡介
2.2 半導體激光器工作原理
2.3 半導體激光器的工作特性
2.4 半導體激光器的典型封裝結構
2.5 半導體激光束泵浦整形技術
參考文獻
第3章 半導體增益介質的設計與製備
3.1 基本理論
3.2 半導體增益介質結構設計
3.3 半導體增益介質外延片的生長與測試
3.4 幾種典型的半導體增益介質結構
參考文獻
第4章 半導體增益介質外延片的後工藝處理
4.1 半導體增益介質外延片襯底減薄工藝研究
4.2 半導體增益介質芯片拋光工藝研究
……
前言/序言
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