半導體材料標準匯編(2014版) 基礎、産品和管理標準分冊

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全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料 著
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  • 半導體材料
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  • 産品
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  • 技術規範
  • 材料科學
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店铺: 博学精华图书专营店
出版社: 中国标准出版社
ISBN:9787506677516
商品编码:29719598687
包装:平装
出版时间:2014-11-01

具体描述

基本信息

書名:半導體材料標準匯編(2014版) 基礎、産品和管理標準分冊

:230.00元

售價:156.4元,便宜73.6元,摺扣68

作者:全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料

齣版社:中國標準齣版社

齣版日期:2014-11-01

ISBN:9787506677516

字數

頁碼

版次:1

裝幀:平裝

開本:大16開

商品重量:0.4kg

編輯推薦


內容提要

半導體材料是指介於金屬和絕緣體之間的電導率為10-3Ω·cm~108Ω·cm的一種具有極大影響力的功能材料,廣泛應用於製作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件等領域,支撐著通信、計算機、信息傢電、網絡技術、國防軍工以及近年來興起的光伏、LED等行業的發展。半導體材料及其應用已成為現代社會各個領域的核心和基礎。

目錄

一、基礎標準
 GB/T 8756-1988 鍺晶體缺陷圖譜
 GB/T 13389-1992 摻硼摻磷矽單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規程
 GB/T 14264-2009 半導體材料術語
 GB/T 14844-1993 半導體材料牌號錶示方法
 GB/T 16595-1996 晶片通用網格規範
 GB/T 16596-1996 確定晶片坐標係規範
 GB/T 30453-2013 矽材料原生缺陷圖譜
 YS/T 28-1992 矽片包裝
二、産品標準
 GB/T 5238-2009 鍺單晶和鍺單晶片
 GB/T 10117-2009 高純銻
 GB/T 10118-2009 高純鎵
 GB/T 11069-2006 高純二氧化鍺
 GB/T 11070-2006 還原鍺錠
 GB/T 11071-2006 區熔鍺錠
 GB/T 11072-2009 銻化銦多晶、單晶及切割片
 GB/T 11093-2007 液封直拉法砷化鎵單晶及切割片
 GB/T 11094-2007 水平法砷化鎵單晶及切割片
 GB/T 12962-2005 矽單晶
 GB/T 12963-2009 矽多晶
 GB/T 12964-2003 矽單晶拋光片
 GB/T 12965-2005 矽單晶切割片和研磨片
 GB/T 14139-2009 矽外延片
 GB/T 20228-2006 砷化鎵單晶
 GB/T 20229-2006 磷化鎵單晶
 GB/T 20230-2006 磷化銦單晶
 GB/T 25074-2010 太陽能級多晶矽
 GB/T 25075-2010 太陽能電池用砷化鎵單晶
 GB/T 25076-2010 太陽電池用矽單晶
 GB/T 26065-2010 矽單晶拋光試驗片規範
 GB/T 26069-2010 矽退火片規範
 GB/T 26071-2010 太陽能電池用矽單晶切割片
 GB/T 26072-2010 太陽能電池用鍺單晶
 GB/T 29054-2012 太陽能級鑄造多晶矽塊
 GB/T 29055-2012 太陽電池用多晶矽片
 GB/T 29504-2013 300mm矽單晶
 GB/T 29506-2013 300mm矽單晶拋光片
 GB/T 29508-2013 300mm矽單晶切割片和磨削片
 GB/T 30854-2014 LED發光用氮化鎵基外延片
 GB/T 30855-2014 LED外延芯片用磷化鎵襯底
 GB/T 30856-2014 LED外延芯片用砷化鎵襯底
 GB/T 30858-2014 藍寶石單晶襯底拋光片
 GB/T 30861-2014 太陽能電池用鍺襯底片
 YS/T 13-2007 高純四氯化鍺
 YS/T 43-2011 高純砷
 YS 68-2004 砷
 YS/T 99-1997 三氧化二砷
 YS/T 222-2010 碲錠
 YS/T 223-2007 硒
 YS/T 257-2009 銦錠
 YS/T 264-2012 高純銦
 YS/T 265-2012 高純鉛
 YS/T 300-2008 鍺精礦
 YS/T 651-2007 二氧化硒
 YS/T 724-2009 矽粉
 YS/T 792-2012 單晶爐用碳/碳復閤材料坩堝
 YS/T 816-2012 高純硒
 YS/T 817-2012 高純碲
 YS/T 838-2012 碲化鎘
 YS/T 916-2013 高純鎘
三、管理標準
 GB/T 23522-2009 再生鍺原料
 GB/T 23523-2009 再生鍺原料中鍺的測定方法
 GB 29413-2012 鍺單位産品能源消耗限額
 GB 29447-2012 多晶矽企業單位産品能源消耗限額
 YS 783-2012 紅外鍺單晶單位産品能源消耗限額
 YS/T 840-2012 再生矽料分類和技術條件

作者介紹


文摘


序言



《半導體材料標準匯編(2014版):基礎、産品和管理標準分冊》—— 塑造半導體産業基石的權威指南 引言 半導體産業,作為21世紀信息技術的核心驅動力,其發展的高度依賴於材料科學的不斷進步和標準的規範統一。從微小的芯片到龐大的數據中心,一切都離不開高質量、高性能的半導體材料。而《半導體材料標準匯編(2014版):基礎、産品和管理標準分冊》正是這樣一部凝聚瞭行業智慧,聚焦半導體材料領域核心標準的權威著作。它不僅是材料工程師、産品研發人員、質量控製專傢不可或缺的工具書,更是推動整個半導體産業健康、有序、高效發展的關鍵推手。本分冊著眼於2014年這一重要時間節點,匯集瞭當時國內在半導體材料領域的權威性、前瞻性標準,為理解和應用半導體材料提供瞭堅實的基礎。 第一部分:基礎標準——奠定科學嚴謹的基石 本分冊的基石部分,即“基礎標準”部分,深入探討瞭半導體材料的物理、化學、電學等方麵的基本屬性和檢測方法。這些標準是理解、評價和應用各類半導體材料的前提,為後續的産品開發和應用奠定瞭科學嚴謹的基礎。 晶體結構與形貌錶徵: 半導體材料的性能與其晶體結構息息相關。本部分標準詳細規定瞭如X射綫衍射(XRD)、透射電子顯微鏡(TEM)、掃描電子顯微鏡(SEM)等先進錶徵技術的應用規範,用以精確測定材料的晶格常數、晶粒尺寸、位錯密度、錶麵形貌等關鍵參數。例如,對於矽單晶片的生長和加工,對晶體的完整性和位錯密度的控製直接影響器件的可靠性和性能。通過標準化的錶徵方法,可以確保不同批次、不同生産商的材料在晶體質量上具有可比性,為工藝優化和故障分析提供可靠依據。 化學成分與純度分析: 半導體材料的純度是其性能的決定性因素之一。微量的雜質都可能對器件的電學特性産生災難性的影響。本部分標準涵蓋瞭多種高精度化學分析技術,如感應耦閤等離子體質譜(ICP-MS)、二次離子質譜(SIMS)、X射綫熒光光譜(XRF)等,用於檢測材料中的元素組成和雜質含量。這些標準要求在極低的濃度(ppb甚至ppt級彆)下準確測定痕量金屬雜質、非金屬雜質以及錶麵汙染物。例如,在高集成度電路製造中,對矽片中的氧、碳、金屬離子等雜質的嚴格控製,是確保器件性能和壽命的關鍵。 物理與電學性能測試: 除瞭微觀結構和化學成分,材料宏觀的物理和電學性能也至關重要。本部分標準規定瞭如電阻率、載流子濃度、遷移率、介電常數、熱導率、熱膨脹係數等一係列關鍵參數的測試方法和允收標準。例如,在設計MOSFET時,對氧化層的介電常數和漏電流的要求,以及對襯底電阻率的精確控製,直接影響器件的開關速度、功耗和閾值電壓。這些標準為材料供應商和用戶之間建立瞭一個共同的語言,確保雙方對材料性能有清晰一緻的認知。 環境可靠性與老化測試: 半導體材料在實際應用中需要承受各種環境因素的考驗,如溫度、濕度、輻射等。本部分標準詳細規定瞭針對這些環境的加速老化和可靠性測試方法,包括高溫高濕試驗、溫度循環試驗、熱衝擊試驗、紫外光老化試驗等。這些試驗旨在模擬材料在長期使用過程中可能遇到的各種嚴苛條件,評估其潛在的失效模式和預期壽命。例如,在戶外應用的電子設備中,對封裝材料的耐候性進行標準化測試,可以有效避免因環境因素導緻的産品早期失效。 第二部分:産品標準——聚焦終端應用與技術進步 “産品標準”部分是本匯編的核心之一,它將基礎材料的性能與具體的半導體器件和應用緊密聯係起來,規定瞭各類半導體材料産品的技術要求、性能指標、測試方法以及檢驗規則。這些標準直接指導瞭半導體産品的設計、製造和質量控製。 矽基材料: 矽作為目前最主要的半導體材料,其標準化尤為重要。本部分標準詳細涵蓋瞭不同規格、不同晶體質量的矽單晶錠、矽片(包括拋光片、外延片、SOI片等)的尺寸公差、錶麵缺陷、電學特性、雜質含量等各項指標。例如,針對不同製程節點(如12英寸、9英寸矽片)及其對錶麵粗糙度、微缺陷(如OSF環)的要求,都製定瞭嚴格的標準。對於SOI(絕緣體上矽)技術,對二氧化矽絕緣層厚度、均勻性以及矽膜厚度的控製,都有明確的量化指標。 化閤物半導體材料: 隨著通信、功率電子等領域的發展,砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等化閤物半導體材料的應用日益廣泛。本部分標準聚焦這些材料的特性,如晶體取嚮、晶格失配、錶麵形貌、載流子濃度、擊穿電壓等。例如,GaN功率器件對氮化物襯底的晶體質量、錶麵平整度有著極高的要求,標準化的測試方法和允收範圍,是實現高性能GaN器件的前提。SiC材料在高溫、高功率應用中的潛力巨大,其標準涵蓋瞭導電型、耐壓等級、缺陷密度等關鍵參數。 光電器件材料: 激光器、LED、光電探測器等光電器件對材料的光學和電學特性有著特殊要求。本部分標準規定瞭如量子阱結構、發光波長、光電轉換效率、光通量、光譜純度等指標。例如,在LED製造中,對GaN基發光材料的波長穩定性、色坐標、光效等有詳細的標準,以確保産品的一緻性和性能。 封裝材料與輔助材料: 除瞭核心的半導體芯片材料,用於芯片封裝的材料(如環氧樹脂、陶瓷、金屬引綫等)以及生産過程中使用的輔助材料(如高純化學試劑、清洗劑、光刻膠等)也至關重要。本部分標準對這些材料的物理性能(如玻璃化轉變溫度、熱膨脹係數)、化學穩定性、可靠性、環境友好性等方麵進行瞭規範,以確保整體産品的性能和壽命。 第三部分:管理標準——保障質量與産業協同 “管理標準”部分則從宏觀層麵,為半導體材料的生産、質量控製、供應鏈管理、技術交流等提供瞭一套係統性的框架。這些標準強調的是流程化、規範化和標準化管理,是提升産業整體競爭力和可持續發展的重要保障。 質量管理體係: 本部分標準藉鑒瞭國際通行的質量管理體係,如ISO 9001等,並結閤半導體行業的特點,製定瞭針對半導體材料生産企業的質量管理要求。這包括瞭從原材料采購、生産過程控製、産品檢驗、客戶服務到持續改進的全過程管理。例如,對生産過程中的關鍵工藝參數(如溫度、壓力、時間、氣氛)進行實時監控和記錄,建立可追溯的生産批次信息,是確保産品一緻性的關鍵。 供應鏈管理與協同: 半導體産業高度依賴全球化供應鏈。本部分標準旨在規範材料供應商與用戶之間的協作關係,強調信息共享、風險管理和互信互利的閤作模式。標準化的采購流程、質量協議、技術審查流程,有助於建立穩定可靠的供應鏈,降低運營風險。 測試與校準規範: 確保測試結果的準確性和可比性是標準化工作的核心。本部分標準詳細規定瞭各類測試設備的校準周期、校準方法以及測試環境的要求,確保不同實驗室、不同時間點進行的測試結果能夠互相驗證。這對於材料的閤格評定、性能認證和失效分析具有至關重要的意義。 數據管理與信息共享: 在信息化時代,有效的數據管理和信息共享是提升效率、促進創新的關鍵。本部分標準可能涉及數據采集、存儲、分析和共享的規範,以及知識産權保護等內容,為行業內的技術交流和閤作奠定基礎。 環境、健康與安全(EHS)標準: 隨著社會對可持續發展的日益重視,半導體材料的生産過程也需要符閤嚴格的環境、健康與安全標準。本部分標準可能涉及對有害物質的使用限製、廢棄物處理、職業健康防護等方麵的要求,以推動行業綠色化、可持續化發展。 結語 《半導體材料標準匯編(2014版):基礎、産品和管理標準分冊》是一部集理論、實踐與管理於一體的寶貴財富。它通過係統化的標準,為半導體材料的研發、生産、應用和質量控製提供瞭堅實的指導。2014版標準的發布,標誌著我國在半導體材料領域標準化工作邁上瞭新的颱階,為我國集成電路産業的蓬勃發展提供瞭強有力的支撐。雖然技術日新月異,但這些標準所蘊含的科學精神、嚴謹態度和對品質的不懈追求,至今仍具有重要的藉鑒意義,並為後續標準的更新與完善奠定瞭基礎。閱讀和應用本匯編,不僅是掌握具體的技術要求,更是理解半導體材料産業發展脈絡、把握行業發展趨勢的重要途徑。

用户评价

评分

作為一名長期在研發部門工作的技術人員,我更看重的是這本書的“前瞻性”和“實用性”的平衡。雖然是2014年的版本,但經典標準往往具有較長的生命周期。我希望這本書能夠清晰地區分哪些是基礎的、韆年不變的物理限製下的標準,哪些是當時的技術發展階段的産物。特彆是在“管理標準”方麵,我希望能看到當時對於供應鏈安全和知識産權保護相關的規範描述,這在半導體行業是至關重要的軟實力。這本書的裝幀和字體選擇都體現瞭一種嚴謹的學術態度,這對於需要長時間閱讀和查閱的工具書來說非常重要,能夠減輕閱讀疲勞。我希望內文排版時,錶格和圖示的比例能夠閤理安排,確保關鍵數據點能夠一目瞭然地被捕捉到。總而言之,這本書對我來說,更像是一份詳細的“行業憲法”,它的價值不在於提供最新的工藝細節,而在於提供一個理解和衡量所有半導體材料和産品質量的權威框架。

评分

這本書的封麵設計挺樸實的,灰藍色的主色調,中間是書名和齣版信息,給人一種很“硬核”的專業書籍的感覺。我拿到手的時候,分量確實不輕,翻開目錄就能感覺到這是一本厚重的工具書。2014年的版本,雖然現在已經過去幾年瞭,但對於基礎理論和一些核心標準的理解,應該還是有很強的參考價值的。我主要是對半導體器件的工藝流程比較感興趣,所以打算從基礎標準這塊入手,看看裏麵對材料純度、晶圓尺寸和錶麵處理的規範描述到底有多細緻。這本書的結構看起來非常清晰,它把標準分成瞭“基礎”、“産品”和“管理”三個大塊,這種分類方式對於查找特定信息很有幫助。比如,如果我需要瞭解某個特定批次矽片的電阻率要求,可以直接跳到“産品標準”部分,而不用費力去翻閱那些側重於管理流程的章節。不過,作為讀者,我最期待的是它能提供足夠多的圖錶和實例來輔助理解那些拗口的專業術語和參數定義,畢竟純文字的描述有時候真的會讓人望而生畏。希望裏麵的內容不僅僅是標準的羅列,而是能提供一些標準背後的技術邏輯和演變過程,這樣學習起來纔會更有深度和趣味性。

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這本書的厚度和內容深度讓我感到既敬畏又有些許壓力。它似乎麵嚮的是那些已經有一定行業經驗的工程師和研究人員,而不是麵嚮完全沒有背景知識的入門者。我主要關注“産品標準”中關於特定材料(比如SOI晶圓或者III-V族化閤物半導體材料)的性能指標部分。現在的芯片製程動輒深入到納米級彆,對材料的均勻性、錶麵活性和應力控製的要求達到瞭極緻。我很好奇,2014年版本的標準,是如何預見和規範未來幾年可能齣現的關鍵技術瓶頸的。比如,它對電學性能測試方法(如四點探針法)的規範描述有多詳細?涉及到探針間距、電流注入速率的參數控製,這些都是影響測量結果可重復性的關鍵因素。我希望能從中找到一些關於材料“批次間一緻性”的明確量化指標,因為在我們實際的生産綫上,維持不同時間生産的材料性能穩定,比達到單次的高指標更難。這本書如果能提供不同標準之間的交叉引用和兼容性說明,無疑會大大提升其作為工具書的效率。

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我對這種官方背景的匯編書籍有一種莫名的信賴感,總覺得它們是行業規範的“定海神針”。拿到《半導體材料標準匯編》後,首先映入眼簾的是它對術語的精確界定。在半導體這個高度專業化的領域,一個詞匯理解上的偏差可能導緻整個項目方嚮的錯誤。我尤其想看看它對“缺陷密度”、“晶圓平整度”這些核心指標的定義是否采用瞭當時最權威的版本。我希望這本書的編寫者們能夠像工匠打磨工具一樣,把每一個標準背後的科學依據都闡述清楚。例如,為什麼某種摻雜劑的濃度要限製在某個特定的PPB(十億分之一)級彆?背後的物理機製是什麼?如果僅僅是羅列齣“必須小於X”,讀者很難形成深入的認知。這本書如果能在標準條文的旁邊,用腳注或者附錄的形式,提供一些基礎的物理化學原理介紹,那就太棒瞭。這樣,即便是初入這個行業的新手,也能在學習標準的同時,打下堅實的理論基礎,避免瞭那種“知其然不知其所以然”的尷尬境地。

评分

說實話,我買這本書主要是衝著它的“匯編”名頭去的,希望它能把分散在各個部門、各個文獻裏的標準集中起來,形成一個一站式的查詢平颱。我的工作性質經常需要橫跨材料分析和器件設計兩個領域,每次為瞭核對一個關鍵的雜質控製限度,都要在好幾份不同的行業規範裏來迴切換,非常耗時間。這本書如果真能把這些標準整閤得足夠全麵和準確,那它就不僅僅是一本書,簡直就是我們實驗室的“標準操作聖經”瞭。我特彆關注“管理標準”這一塊,這部分往往決定瞭一個工廠的質量控製水平。我很好奇,2014年版本的潔淨室等級劃分、可追溯性要求,以及供應商資質審核的流程細則,與現在業界的主流做法相比,有哪些關鍵的差異點和進步點。研究這些曆史性的標準版本,對於我們評估現有管理體係的成熟度,也是一個絕佳的參照係。當然,如果書中能附帶一些實際案例分析,比如某個標準未被遵守導緻的質量事故分析,那這本書的實用價值就更高瞭,能讓我更直觀地感受到標準的重要性,而不僅僅是停留在紙麵上的要求。

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