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方誌烈著

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店鋪：易寶易硯圖書專營店

齣版社：電子工業齣版社

ISBN：9787121340369

商品編碼：29743475655

包裝：平裝-膠訂

齣版時間：2018-04-01

具体描述

圖書基本信息
圖書名稱	半導體照明技術
作者	方誌烈
定價	79.00元
齣版社	電子工業齣版社
ISBN	9787121340369
齣版日期	2018-04-01
字數
頁碼
版次	1
裝幀	平裝-膠訂
開本	16開
商品重量	0.4Kg

內容簡介
本書在介紹半導體照明器件———發光二極管的材料、機理及其製造技術的同時，詳細講解瞭器件的光電參數測試方法，器件的可靠性分析、驅動和控製方法，以及各種半導體照明的應用技術。本書內容係統、全麵，通過理論聯係實際，重點突齣瞭 “半導體照明”主題，反映瞭外*的應用技術。

作者簡介
方誌烈，1938年2月齣生於江蘇江陰。1961年畢業於復旦大學並留校任教，現任該校教授。中國發光學會理事。上海市通信學會光通信專業委員會委員。

章光視覺顔色
1��1光
1��1��1光的本質
1��1��2光的産生和傳播
1��1��3人眼的光譜靈敏度
1��1��4光度學及其測量
1��2視覺
1��2��1作為光學係統的人眼
1��2��2視覺的特徵與功能
1��3顔色
1��3��1顔色的性質
1��3��2國際照明委員會色度學係統
1��3��3色度學及其測量
第2章光源
2��1自然光源
2��1��1太陽
2��1��2月亮和行星
2��2人工光源
2��2��1人工光源的發明與發展
2��2��2白熾燈
2��2��3鹵鎢燈
2��2��4熒光燈
2��2��5低壓鈉燈
2��2��6高壓放電燈
2��2��7無電極放電燈
2��2��8發光二極管
2��2��9照明的經濟核算
第3章半導體發光材料晶體導論
3��1晶體結構
3��1��1空間點陣
3��1��2晶麵與晶嚮
3��1��3閃鋅礦結構、金剛石結構和縴鋅礦結構
3��1��4缺陷及其對發光的影響
3��2能帶結構
3��3半導體晶體材料的電學性質
3��3��1費米能級和載流子
3��3��2載流子的漂移和遷移率
3��3��3電阻率和載流子濃度
3��3��4壽命
3��4半導體發光材料的條件
3��4��1帶隙寬度閤適
3��4��2可獲得電導率高的p型和n型晶體
3��4��3可獲得完整性好的優質晶體
3��4��4發光復閤概率大
第4章半導體的激發與發光
4��1pn結及其特性
4��1��1理想的pn結
4��1��2實際的pn結
4��2注入載流子的復閤
4��2��1復閤的種類
4��2��2輻射型復閤
4��2��3非輻射型復閤
4��3輻射與非輻射復閤之間的競爭
4��4異質結構和量子阱
4��4��1異質結構
4��4��2量子阱
第5章半導體發光材料體係
5��1砷化鎵
5��2磷化鎵
5��3磷砷化鎵
5��3��1GaAs0��60P0��40/GaAs
5��3��2晶體中的雜質和缺陷對發光效率的影響
5��4鎵鋁砷
5��5鋁鎵銦磷
5��6銦鎵氮
第6章半導體照明光源的發展和特徵參量
6��1發光二極管的發展
6��2發光二極管材料生長方法
6��3高亮度發光二極管芯片結構
6��3��1單量子阱（SQW）結構
6��3��2多量子阱（MQW）結構
6��3��3分布布拉格反射（DBR）結構
6��3��4透明襯底技術（Transparent Substrate，TS）
6��3��5鏡麵襯底（Mirror Substrate，MS）
6��3��6透明膠質黏結型
6��3��7錶麵紋理結構
6��4照明用LED的特徵參數和要求
6��4��1光通量
6��4��2發光效率
6��4��3顯色指數
6��4��4色溫
6��4��5壽命
6��4��6穩定性
6��4��7熱阻
6��4��8抗靜電性能
第7章磷砷化鎵、磷化鎵、鎵鋁砷材料生長
7��1磷砷化鎵氫化物氣相外延生長（HVPE）
7��2氫化物外延體係的熱力學分析
7��3液相外延原理
7��4磷化鎵的液相外延
7��4��1磷化鎵綠色發光材料外延生長
7��4��2磷化鎵紅色發光材料外延生長
7��5鎵鋁砷的液相外延
第8章鋁鎵銦磷發光二極管
8��1AlGaInP金屬有機物化學氣相沉積通論
8��1��1源材料
8��1��2生長條件
8��1��3器件生長
8��2外延材料的規模生産問題
8��2��1反應器問題:輸送和排空處理
8��2��2均勻性的重要性
8��2��3源的質量問題
8��2��4顔色控製問題
8��2��5生産損耗問題
8��3電流擴展
8��3��1歐姆接觸的改進
8��3��2p型襯底上生長
8��3��3電流擴展窗層
8��3��4氧化銦锡（ITO）
8��4電流阻擋結構
8��5光的取齣
8��5��1上窗設計
8��5��2襯底吸收
8��5��3分布布拉格反射LED
8��5��4GaP晶片黏結透明襯底LED
8��5��5膠質黏著（藍寶石晶片黏結）
8��5��6紋理錶麵結構
8��6芯片製造技術
8��7器件特性
第9章銦鎵氮發光二極管
9��1GaN生長
9��1��1未摻雜GaN
9��1��2n型GaN
9��1��3p型GaN
9��1��4GaN pn結LED
9��2InGaN生長
9��2��1未摻InGaN
9��2��2摻雜InGaN
9��3InGaN LED
9��3��1InGaN/GaN雙異質結LED
9��3��2InGaN/AlGaN雙異質結LED
9��3��3InGaN單量子阱（SQW）結構LED
9��3��4高亮度綠色和藍色LED
9��3��5InGaN多量子阱（MQW）結構LED
9��3��6紫外LED
9��3��7AlGaN深紫外LED
9��3��8矽襯底GaN藍光LED
9��4提高質量和降低成本的幾個重要技術問題
9��4��1襯底
9��4��2緩衝層
9��4��3激光剝離（LLO）
9��4��4氧化銦锡（ITO）
9��4��5錶麵紋理結構
9��4��6圖形襯底技術（PSS）
9��4��7微矩陣發光二極管（MALED）
9��4��8光子晶體（Photonic Crystal，PC）LED
9��4��9金屬垂直光子LED（MVP LED）
0章LED芯片製造技術
10��1光刻技術
10��2氮化矽生長
10��3擴散
10��4歐姆接觸電極
10��5ITO透明電極
10��6錶麵粗化
10��7光子晶體
10��8激光剝離（Laser Lift�瞣ff，LLO）
10��9倒裝芯片技術
10��10垂直結構芯片技術
10��11芯片的切割
10��12LED芯片結構的發展
1章白光發光二極管
11��1新世紀光源的研製目標
11��2人造白光的佳化
11��2��1發光效率和顯色性的摺中
11��2��2二基色體係
11��2��3多基色體係
11��3熒光粉轉換白光LED
11��3��1二基色熒光粉轉換白光LED
11��3��2多基色熒光粉轉換白光LED
11��3��3紫外LED激發多基色熒光粉
11��4多芯片白光LED
11��4��1二基色多芯片白光LED
11��4��2多基色多芯片白光LED
2章LED封裝技術
12��1LED器件的設計
12��1��1設計原則
12��1��2電學設計
12��1��3熱學設計
12��1��4光學設計
12��1��5視覺因素
12��2LED封裝技術
12��2��1小功率LED封裝
12��2��2SMD LED的封裝
12��2��3芯片級封裝（CSP）
12��2��4大電流LED的封裝
12��2��5功率LED的封裝
12��2��6功率LED組件
12��2��7銦鎵氮類LED的防靜電措施
3章發光二極管的測試
13��1發光器件的效率
13��1��1發光效率
13��1��2功率效率
13��1��3量子效率
13��2電學參數
13��2��1伏安特性
13��2��2總電容
13��3光電特性參數——光電響應特性
13��4光度學參數
13��4��1法嚮光強I0的測定
13��4��2發光強度角分布（半強度角和偏差角）
13��4��3總光通量的測量
13��4��4量值傳遞
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