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內容簡介

　　 碳化矽以其優異的溫度特性、電遷移特性、機械特性等，越來越被微電子和微機電係統研究領域所關注，不斷有新的研究群體介入這一材料及其應用的研究。《用於惡劣環境的碳化矽微機電係統》是目前譯者見到的一本係統論述碳化矽微機電係統的著作，作者是來自英國、美國從事碳化矽微機電係統研究的幾位學者，他們係統綜述瞭碳化矽生長、加工、接觸、腐蝕和應用等環節的技術和現狀，匯聚瞭作者大量的經驗和智慧。
《用於惡劣環境的碳化矽微機電係統》可供從事微電子、微機械研究的科研人員參考閱讀，也可以作為研究生專業課程教材或參考書目。

目錄

譯者序
前言
第1章 SiCMEMS概述
1.簡介
2.SiC材料性能
3.製作微機電（MEM）器件
4.錶麵改性
5.SiCMEMS的頻率調諧
6.MEMS的機械測試
7.應用舉例
8.小結
參考文獻

第2章 SiCMEMS沉積技術
1.概述
2.與SiC沉積相關的問題
3.APCVD
4.PE（2VD
5.LPCVD
6.LPCⅧSiC薄膜的摻雜
7.其他沉積方法
8.小結
參考文獻

第3章 與SiC接觸開發相關的問題綜述
1.概述
2.熱穩定性
3.p型SiC的歐姆接觸
4.使用Ni的歐姆接觸
5.肖特基接觸缺陷的影響
6.小結
參考文獻

第4章 SiC的乾法刻蝕
1.概述
2.等離子刻蝕基礎
3.SiC的等離子刻蝕
4.等離子體化學
5.掩膜材料
6.近期發展及未來展望
7.小結
參考文獻

第5章 SiCMEMS的設計、性能和應用
1.概述
2.SiCMEMS器件
3.結論和展望
參考文獻
附錄

精彩書摘

由於SiC的特性，所以，SiC是一種比多晶Si更難閤成的材料。SiC的形成需要在閤適的熱學、化學條件下，Si原子和C原子發生反應纔能得到。形成化學意義上的SiC薄膜一般需要高於700℃的溫度，而多晶SiC則需要更高的溫度（大於800℃）。SiC和SiC最普通的MEMS基底）之間晶格和熱性質的不一緻會導緻SiC薄膜裏的殘餘應力。對微結構來說，SiC在高溫下是熱力學穩定的，因而限製瞭退火這種減小無定形SiC薄膜應力技術的應用。由於幾乎所有元素在SiC裏的擴散係數是極其低的，使得固態源擴散成為一種不實用的摻雜技術，隻剩下離子注入和原位摻雜成為可行的選擇。然而，對Si晶片上的SiC薄膜，離子注人也是很有挑戰性的，這是因為工藝中最有效的注入和退火溫度接近瞭基底的熔點。

前言/序言

　　首先，我要感謝所有對本書作齣貢獻的專傢。沒有他們，就不可能有本書。我也要嚮蘇格蘭微電子中心的同行錶示最深切的感謝，他們用多種方法為本書第1章描述的科學和技術作齣瞭貢獻。編寫這樣一本關於SiC MEMS手稿的目的是把最新的信息濃縮成易於被學術界和商業公司接受的書的形式。本書總結瞭與惡劣環境應用SiC MEMS相關的高質量信息，供從事此領域及相關研究的學生、學者和科研人員使用。我也希望本書能夠對整個MEMS領域的發展貢獻力量。
　　MEMS是微小尺度的機械器件／傳感器，其有非常廣泛的應用，如小型化的加速度傳感器和壓力傳感器、模仿蟋蟀縴毛的風速傳感器、用於生物醫學的微流體泵等。與SiC相比，SiC的主要優點自然是材料的機械和化學穩定性。一旦這些材料性能在高溫和惡劣環境等應用中體現齣來，就將對科學和工程的促進産生推動，導緻最終産品的齣現。本書闡述從SiC材料的發明到最終應用到MEMS中整個過程中相關的科學和技術。
　　本書分彆在SiC加工、生長、接觸和腐蝕等技術和工藝現狀方麵做瞭精彩闡述，並在最後一章論述瞭SiC MEMS的應用。
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