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編輯推薦

　　實用為主，夠用為度，介紹半導體基礎知識
　　注重基礎，強調安全，半導體從業人員必讀
　　側重半導體基礎應用，強化化學品安全意識

內容簡介

本書共分為上下兩篇：上篇為半導體物理基礎與應用，側重於介紹半導體的基本概念、基本理論和基本應用；下篇為半導體化學基礎與應用，側重於介紹微電子製造工藝中接觸到的化學品特性及其化學反應過程，關注半導體化學品、化學氣體的安全防護知識，讀者可以在較短時間內，對半導體材料的物理化學性質有較深入的瞭解，同時對微電子工業的化學品安全防護更加重視，以利安全生産。每章後附有復習思考題，便於讀者自測、自查之用。
本書主要針對高職高專院校微電子技術及相關專業學生的特點，堅持實用為主，夠用為度，詳細介紹半導體基礎知識，重點突齣對學生應用能力的培養；結構清晰，語言通俗易懂，非常適閤教學、培訓和自學。

內頁插圖

目錄

齣版說明
前言
上篇半導體物理基礎與應用
第1章半導體中的電子狀態和雜質
1.1半導體中的電子狀態和能帶
1.1.1半導體的晶格結構和結閤性質
1.1.2能帶的形成
1.1.3原子中的電子狀態和能級
1.1.4導體、半導體、絕緣體的能帶
1.2多子和少子的熱平衡
1.2.1多子和少子
1.2.2電子空穴對的産生和復閤
1.3Si、Ge晶體中的雜質
1.3.1本徵半導體
1.3.2N型半導體和P型半導體
1.3.3雜質的補償作用
1.3.4淺能級雜質和深能級雜質
1.4ⅢⅤ族化閤物中的雜質
1.4.1電離的雜質
1.4.2砷化鎵中的雜質
1.5復習思考題
1.6實訓1 使用4探針測試儀測量
矽材料的方塊電阻
第2章熱平衡載流子和非平衡載
流子
2.1熱平衡載流子的統計分布
2.1.1費米分布函數
2.1.2玻耳茲曼分布函數
2.1.3導帶電子濃度和價帶空穴濃度
2.2載流子濃度與費米能級位置的
關係
2.3本徵半導體和雜質半導體的載
流子濃度
2.3.1本徵半導體的載流子濃度
2.3.2雜質半導體的載流子濃度
2.4非平衡載流子
2.4.1非平衡載流子的産生與復閤
2.4.2非平衡載流子的壽命
2.4.3復閤理論
2.5載流子的漂移運動和擴散運動
及愛因斯坦關係式
2.5.1載流子的漂移運動
2.5.2載流子的擴散運動
2.5.3愛因斯坦關係式
2.6復習思考題
2.7實訓2 用高頻光電導衰減法
測量Si中的少數載流子壽命
2.8復習思考題
第3章PN結
3.1PN結及其能帶圖
3.1.1PN結的形成及其雜質分布
3.1.2PN結的能帶圖
3.1.3PN結的載流子分布
3.2PN結電流電壓特性
3.2.1非平衡狀態的PN結
3.2.2影響PN結電流電壓特性偏離
理想方程的因素
3.3PN結電容效應
3.3.1電容對PN結整流特性的影響
3.3.2PN結電容的來源
3.3.3PN結的勢壘電容
3.4PN結擊穿
3.4.1PN結擊穿現象
3.4.2雪崩擊穿
3.4.3隧道擊穿
3.5復習思考題
第4章金屬與半導體的接觸
4.1金屬與半導體接觸的錶麵
勢壘
4.1.1金屬和半導體的功函數
4.1.2接觸電勢差
4.1.3錶麵態對接觸勢壘的影響
4.2金屬與半導體接觸的整流
效應
4.2.1阻擋層的整流理論
4.2.2肖特基勢壘二極管
4.3歐姆接觸
4.3.1低勢壘接觸
4.3.2高復閤接觸
4.3.3高摻雜接觸
4.4復習思考題
第5章半導體錶麵
5.1錶麵態和錶麵電場效應
5.1.1錶麵態
5.1.2錶麵電場效應
5.2MOS結構的電容電壓效應
5.2.1MOS電容
5.2.2理想MOS結構的電容電壓
特性
5.2.3實際MOS結構的電容電壓特性
測量
5.3矽二氧化矽係統的性質
5.3.1二氧化矽中的可動離子
5.3.2二氧化矽層中的固定錶麵電荷
5.3.3矽二氧化矽的快界麵態
5.3.4二氧化矽中的陷阱電荷
5.4復習思考題
第6章半導體的其他特性
6.1半導體的光學性質
6.1.1半導體的光吸收
6.1.2半導體的光電導
6.1.3半導體的光生伏特效應
6.1.4半導體發光
6.2半導體的熱電效應
6.2.1熱電效應的一般描述
6.2.2半導體熱電效應的應用
6.3半導體的霍爾效應、磁阻效應
和壓阻效應
6.3.1霍爾效應
6.3.2磁阻效應
6.3.3壓阻效應
6.4復習思考題
下篇半導體化學基礎與應用
第7章襯底製備化學基礎
7.1矽的化學性質和高純矽製備的
化學原理
7.1.1矽的化學性質
7.1.2高純矽製備的化學原理
7.2鍺的化學性質和高純鍺製備的
化學原理
7.2.1鍺的化學性質
7.2.2高純鍺製備的化學原理
7.3砷化鎵的性質和砷化鎵閤成的
原理
7.3.1砷化鎵的化學性質
7.3.2鎵的製備和提純
7.3.3砷的製備和提純
7.3.4砷化鎵閤成的原理
7.4矽片拋光的化學原理
7.4.1矽單晶的加工成形技術
7.4.2矽襯底的拋光
7.5復習思考題
第8章外延工藝中的化學基礎
8.1氣相拋光的化學原理
8.1.1氯化氫氣相拋光
8.1.2水汽拋光
8.1.3溴氣相拋光
8.2外延生長中的化學原理
8.2.1四氯化矽氫還原法
8.2.2三氯氫矽氫還原法
8.2.3矽烷熱分解法
8.2.4矽烷氯化氫混閤法
8.2.5二氯矽烷熱分解法
8.3原材料提純
8.3.1氣體純度及其錶示方法
8.3.2四氯化矽的純化
8.3.3氫氣的純化
8.4復習思考題
第9章半導體錶麵鈍化的化學基礎
9.1二氧化矽鈍化膜
9.1.1二氧化矽的結構
9.1.2二氧化矽膜的製備
9.2氮化矽鈍化膜
9.2.1氮化矽膜的特點
9.2.2氮化矽膜的製備
9.3磷矽玻璃鈍化膜
9.4三氧化二鋁鈍化膜
9.5復習思考題
第10章擴散工藝的化學基礎
10.1半導體雜質的類型
10.1.1N型雜質
10.1.2P型雜質
10.2磷擴散的化學原理
10.2.1固態雜質源擴散
10.2.2液態雜質源擴散
10.2.3氣態雜質源擴散
10.3硼擴散的化學原理
10.3.1固態雜質源擴散
10.3.2液態雜質源擴散
10.3.3氣態雜質源擴散
10.4復習思考題
第11章光刻與製版工藝的化學
基礎
11.1光刻膠及光刻工藝中的化學
過程
11.1.1光刻膠知識
11.1.2顯影過程中的化學知識
11.2蝕刻技術的化學過程
11.2.1蝕刻技術術語
11.2.2濕法蝕刻
11.2.3乾法蝕刻
11.3製版工藝的化學基礎
11.3.1超微粒乾版製備
11.3.2鉻版製備
11.3.3氧化鐵彩色版製備
11.4復習思考題
11.5實訓3 簡易光刻實訓
第12章化學清洗與純水的製備
12.1矽片錶麵沾汙的雜質類型和清
洗矽片的一般步驟
12.1.1矽片錶麵沾汙的雜質類型
12.1.2清洗矽片的一般步驟
12.2清洗中的基本原理
12.2.1用有機溶劑清洗
12.2.2用堿液、肥皂和閤成洗滌劑
清洗
12.2.3用無機酸清洗
12.3純水製備的化學原理
12.3.1純水在半導體生産中的應用
12.3.2離子交換樹脂
12.3.3用電滲析法製備純水
12.3.4用反滲透法製備純水
12.4復習思考題
第13章化學品的安全性
13.1常見危險化學品標誌及人體健康
危害分類數字
13.1.1常見危險化學品標誌
13.1.2人體健康危害分類數字
13.2化學材料的暴露極限
13.3化學品安全說明書（MSDS）
13.3.1MSDS的作用
13.3.2我國關於MSDS的規定
13.3.3MSDS實例
13.4濕化學材料的安全性
13.4.1腐蝕性材料
13.4.2溶劑
13.4.3製造廠常用的化學材料及危險
等級
13.5氣體泄漏與監控
13.6離子注入的安全知識
13.7化學材料再循環的安全知識
13.8復習思考題
附錄
附錄AGB 13690—1992《常用危險化
學品的分類及標誌》化學品的
基本危險特性
附錄BGB/T 16483—2008《化學品
安全技術說明書內容和項目順序》說明書填寫指南
參考文獻

前言/序言

半導體基礎與應用/全國高等職業教育規劃教材 下載 mobi epub pdf txt 電子書

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