半導體器件物理(第3版)(引進版權) (美)施敏,(美)伍國玨,耿莉,張瑞智西安交通大學 pdf epub mobi txt 電子書下載 2024

圖書介紹

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[美] 施敏，[美] 伍國玨，耿莉，張瑞智著

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发表于2024-11-07

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店鋪：傑城圖書專營店

齣版社：西安交通大學齣版社

ISBN：9787560525969

商品編碼：11879898784

包裝：平裝

齣版時間：2008-06-01

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半導體器件物理(第3版)(引進版權) (美)施敏,(美)伍國玨,耿莉,張瑞智西安交通大學 pdf epub mobi txt 電子書下載 2024

具體描述

圖書基本信息
圖書名稱	半導體器件物理(第3版)(引進版權)	作者	(美)施敏,(美)伍國玨,耿莉,張瑞智
定價	76.00元	齣版社	西安交通大學齣版社
ISBN	9787560525969	齣版日期	2008-06-01
字數		頁碼
版次	1	裝幀	平裝
開本	16開	商品重量	0.740Kg

內容簡介

《半導體器件物理》這本經典著作在半導體器件領域已經樹立起瞭先進的學習和參考典範。此書的第3版保留瞭重要半導體器件的為詳盡的知識內容，並做瞭更新和重新組織，反映瞭當今器件在概念和性能等方麵的巨大進展，它可以使讀者快速地瞭解當今半導體物理和所有主要器件，如雙極、場效應、微波、光子器件和傳感器的性能特點。
本書專為研究生教材和參考所需設計，新版本包括：
以*進展進行瞭全麵更新；
包括瞭對三維MOSFET、MODFET、共振隧穿二極管、半導體傳感器、量子級聯激光器、單電子晶體管、實空間轉移器件等新型器件的敘述；
對內容進行瞭重新組織和安排；
各章後麵配備瞭習題；
重新高質量地製作瞭書中的所有插圖。
《半導體器件物理》（第3版）為工程師、研究人員、科技工作者、高校師生提供瞭解當今應用中為重要的半導體器件的基礎知識，對預測未來器件性能和局限性提供瞭良好的基礎。

作者簡介
施敏，（s.M.SZE），獲斯坦福大學電氣工程專業博士學位，1963-1989年在貝爾實驗室工作，1990年起在颱灣新竹交通大學（NCTU）電子工程係任教，施敏博士現在為NCTU的講座教授和斯坦福大學的顧問教授，並擔任多所院校及研究機構的客座教授，他對半導體器件有著基礎性和先驅性的

譯者序
前言
導言
第1部分半導體物理
　第1章半導體物理學和半導體性質概要
　 1.1 引言
　 1.2 晶體結構
　 1.3 能帶和能隙
　 1.4 熱平衡時的載流子濃度
　 1.5 載流子輸運現象
　 1.6 聲子、光學和熱特性
　 1.7 異質結和納米結構
1.8 基本方程和實例
第2部分器件的基本構件
　第2章 p-n結二極管
　 2.1 引言
　 2.2 耗盡區
　 2.3 電流-電壓特性
　 2.4 結擊穿
　 2.5 瞬變特性與噪聲
　 2.6 端功能
　 2.7 異質結
　第3章金屬-半導體接觸
　 3.1 引言
　 3.2 勢壘的形成
　 3.3 電流輸運過程
　 3.4 勢壘高度的測量
　 3.5 器件結構
　 3.6 歐姆接觸
　第4章金屬-絕緣體-半導體電容
　 4.1 引言
　 4.2 理想MIS電容
　 4.3 矽MOS電容
第3部分晶體管
　第5章雙極晶體管
　 5.1 引言
　 5.2 靜態特性
　 5.3 微波特性
　 5.4 相關器件結構
　 5.5 異質結雙極晶體管
　第6章 MOS場效應晶體管
　6.1 引言
　 6.2 器件的基本特性
　 6.3 非均勻摻雜和埋溝器件
　 6.4 器件按比例縮小和短溝道效應
　 6.5 MOSFET的結構
　 6.6 電路應用
　 6.7 非揮發存儲器
　 6.8 單電子晶體管
　第7章 JFET，MESFET和MODFET器件
　 7.1 引言
　 7.2 JFET和MODFET
　 7.3 MODFET
第4部分負阻器件和功率器件
　第8章隧道器件
　 8.1 引言
　 8.2 隧道二極管
　 8.3 相關的隧道器件
　 8.4 共振遂穿二極管
　第9章碰撞電離雪崩渡越時間二極管
　第10章轉移電子器件和實空間轉移器件
　第11章晶閘管和功率器件
第5部分光學器件和傳感器
　第12章發光二極管和半導體激光器
　第13章光電探測器和太陽電池
　第14章傳感器
附錄
A.符號錶
B.國際單位製
C.單位詞頭
D.希臘字母錶
E.物理常數
F.重要半導體的特性
G.Si和GaAs的特性
H.SiO2和Si3N4的特性