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內容簡介

　　《模擬電路分析與設計基礎（修訂版）》共分9章，主要內容為：半導體材料及二極管；雙極型晶體三極管；晶體三極管放大電路基礎；場效應管及其放大電路；放大器的頻率響應；模擬集成單元電路；負反饋技術；集成運算放大器；集成運放電路的應用與設計。
　　《模擬電路分析與設計基礎（修訂版）》取材較新、重點突齣、循序漸進，理論與工程計算並重，注重基本功能電路的分析和設計方法。書中例題豐富，每章末均有小結，便於自學。
　　《模擬電路分析與設計基礎（修訂版）》可作為高等院校電氣、電子信息類等專業電子技術課程的教材，也可作為從事電子技術工作的工程技術人員及電子技術愛好者的參考書。

內頁插圖

目錄

叢書序
前言

第1章 半導體材料及二極管
1．1 半導體材料及其特性
1．1．1 本徵半導體
1．1．2 雜質半導體
1．1．3 半導體中的電流
1．2 PN結
1，2．1 PN結的形成及特點
1．2．2 PN結的單嚮導電特性
1．3 晶體二極管及其應用
1．3．1 晶體二極管的伏安特性
1．3．2 二極管的直流電阻和交流電阻
1．3．3 二極管模型
1．3．4 二極管應用電路
1．3．5 穩壓管及其應用
1．3．6 PN結電容效應及應用
1．3．7 特殊二極管
1．4 Multism仿真實例——半導體二極管伏安特性的研究
1．4．1 創建仿真電路
1．4．2 仿真內容
1．4．3 結論
1．5 小結
復習題
習題一

第2章 雙極型晶體三極管
2．1 BJT工作原理
2．1．1 BJT結構與符號
2．1．2 放大狀態下BJT內部載流子的傳輸過程
2．1 -3放大偏置BJT偏壓與電流的關係
2．2 BJT的靜態特性麯綫
2．2．1 共射輸入特性麯綫
2．2．2 共射輸齣特性麯綫
2．2．3 溫度對BJT特性及參數的影響
2．3 BJT主要參數
2．3．1 直流參數
2．3．2 交流參數
2．3．3 極限參數
2．4 BJT簡化直流模型及工作狀態分析
2．4．1 BJT的簡化直流模型
2．4．2 BJT工作狀態分析
2．5 BJT交流小信號模型
2．6 Multism仿真實例-BJT輸入、輸齣特性麯綫研究
2．6．1 創建仿真電路
2．6．2 仿真內容
2．6．3 結論
2．7 小結
復習題
習題二

第3章 BJT放大電路
3．1 放大電路的基本組成和分析方法
3．2 BJT放大偏置電路
3．3 BJT三種基本組態放大電路交流特性的分析
3．4 多級放大電路
3．5 Multism仿真實例一一單級共射放大電路仿真分析
3．5．1 創建仿真電路
3．5．2 仿真內容
3．5．3 結論
3．6 小結
復習題
習題三

第4章 MOSFET及其放大電路
4．1 N溝道增強型MOSFET的結構和工作原理
4．1．1 結構
4．1．2 工作原理
4．1．3 輸齣特性麯綫
4．1．4 電流一電壓關係
4．2 MOSFET的偏置電路
4．2．1 分離MOSFET電路的直流偏置
4．2．2 集成MOSFET電路的直流偏置
4．3 MOSFET的交流小信號模型
4．3．1 MOSFET的綫性化分析原理
4．3．2 MOSFET的綫性化模型的交流參數
4．3．3 MOSFET的交流小信號綫性模型
4．4 MOSFET放大電路的三種基本組態
4．4．1 共源極放大器
4．4．2 源極跟隨器
4．4．3 共柵極放大器
4．4．4 三種基本放大器組態的總結與比較
4．5 單級集成MOSFET放大器
4．6 MOSFET多級放大器
4．7 其他類型的場效應管
4．7．1 P溝道增強型MOSFET
4．7．2 N溝道耗盡型MOSFET
4．7．3 P溝道耗盡型MOSFET
4．7．4 JEET
4．8 Multism仿真實例——單級共源放大電路仿真分析
4．8．1 創建仿真電路
4．8．2 仿真內容
4．8．3 結論
4．9 小結
復習題
習題四

第5章 放大器的頻率響應
5．1 放大器的增益函數與轉摺頻率
5．2 轉摺頻率的另一種求法——時間常數法
5．2．1 高頻等效電路——開路時間常數法求wH
5．2．Z低頻等效電路——短路時間常數法求WL
5．3 雙極型晶體管的頻率響應
5．3．1 雙極型晶體管的高頻小信號模型
5．3．2 特徵頻率
5．3．3 Miller效應和Miller電容
5．4 場效應管的頻率響應
5．4．1 場效應管的高頻小信號模型
5．4．2 特徵頻率
5．4．3 Miller效應和Miller電容
5．5 晶體管放大電路的高頻響應
5．5．1 共基極放大器的高頻響應
5．5．2 射極跟隨器的高頻響應
5．6 多級放大器上、下轉摺頻率的計算方法
5．7 Multism仿真實例——單級共射放大電路頻率響應仿真分析
5．7．1 創建仿真電路
5．7．2 仿真內容
5．7．3 結論
5．8 小結
復習題
習題五

第6章 模擬集成單元電路
6．1 集成電流源
6．1．1 雙極型晶體管電流源
6．1．2 場效應管電流源
6．2 有源負載電路
6．2．1 BJT有源負載電路
6．2．2 MOSFET有源負載電路
6．3 差動放大器
6．3．1 BJT差動放大器的組成原理
……

第7章 負反饋技術
第8章 集成運算放大器
第9章 集成運放電路的應用與設計

參考文獻

前言/序言

　　模擬電路是電子信息工程技術中的重要基礎，主要包括半導體二極管、雙極型晶體三極管（BJT）、場效應管（FET）和集成運算放大器的工作原理及它們所構成的基本電路和應用電路。
　　本書以放大電路為主，詳細闡述瞭BJT和FET的直流等效模型和交流小信號等效模型，放大電路的直流偏置電路和交流小信號等效電路，放大電路交流性能指標（增益、輸入電阻和輸齣電阻、頻率特性參數等）的分析，以及由性能指標設計放大電路的方法等。對放大電路的頻率特性參數（如轉摺頻率、通頻帶）進行瞭重點分析，討論瞭轉摺頻率和通頻帶的計算方法。在基本的小信號放大電路的基礎上，講述瞭差動放大電路、大信號的功率放大電路和集成運算放大電路。本書還著重分析瞭負反饋技術對改善放大電路性能的作用，討論瞭負反饋放大電路的設計方法。
　　除瞭放大電路外，本書還介紹瞭二極管的應用電路（如整流電路、限幅電路、穩壓電路等）、電流源電路和由集成運算放大電路構成的多種應用電路。
　　在內容選擇與編排、重點與難點的闡述方式等方麵，本書力爭體現以下三個特點：
　　（1）精心選擇教學內容，吸收新的理論成果，重點放在集成電路設計所需要的模擬電路基礎知識上。
　　近年來，我國集成電路設計與製造工業發展迅速，急需大量的集成電路設計人纔。模擬電路是集成電路設計的基礎，因此本書用較大的篇幅（第4章和第6章）講述構成集成電路的主要元件（MOSFET）和基本單元電路（電流源、有源負載、差動放大電路、功率放大電路）的工作原理、分析方法和設計方法，為集成電路設計打好基礎。
　　在放大電路頻率特性的分析上，我們抓住頻率特性的關鍵點，將主要的篇幅用於轉摺頻率的分析和計算上。吸收新的理論成果，采用短路或開路時間常數法估算轉摺頻率，分析電路各元件對轉摺頻率的影響。這樣既避免瞭等效電路法和頻域分析法的復雜性，又將讀者的注意力集中在關鍵參數的物理意義上，幫助讀者建立清晰的頻率特性概念。
　　（2）突齣重點難點內容，分析問題深入透徹，引入大量的例題幫助讀者領會基本概念及基本方法。
　　在內容編排上，力爭重點突齣，對重點內容進行深入細緻的分析和總結。例如，在BJT、MOSFET和集成電路的直流模型和交流小信號模型的綫性化建模過程中，工程近似是重點內容之一，本書進行瞭詳盡的敘述，使讀者在理論的指導下建立工程近似的概念。再如集成運算放大器的四種主要應用（有源濾波器、振蕩器、施密特觸發器、波形發生器）也是本教材的重點，本書用較大的篇幅闡述瞭這四種應用電路的分析和設計方法。
　　對於難點內容，本書藉助必要的理論和方法，進行深入透徹的分析和總結，通過大量的例題，使讀者在深入理解的基礎上掌握難點內容。例如，在四種反饋放大器的分析過程中，求A電路和B電路的方法是本教材的難點。本書除瞭對此進行瞭詳細的分析外，還進行瞭很好的總結。再如對電流源和有源負載電路的分析和設計，也花瞭較大篇幅講述電流源的重要參數（內阻）的計算和有源負載如何改變放大電路的性能。
　　（3）注重係統分析方法，藉助電路、信號與係統的分析理論，改進瞭負反饋電路的分析與設計方法。
　　負反饋技術一直是模擬電路的主要內容之一。大部分教材在講述負反饋的基本原理後，介紹負反饋類型的判定方法，最後介紹深度負反饋的計算。本書采用係統分析法，利用信號與係統的理論，采用方框圖的形式講述四種反饋放大器的簡化模型及模型的建立方法，進而利用電路分析的方法求解一般反饋放大器（而不僅僅限於深度負反饋放大器）的增益、輸入電阻和輸齣電阻等交流參數。這種方法在負反饋電路的設計中更具有普遍的指導意義。
　　總之，編者力圖給讀者展現一本既體現新技術的基礎內容又將重點難點分析透徹的模擬電路教材。
　　本書由電子科技大學模擬電路課程首席教師吳援明教授主編和統稿。唐軍老師編寫和校對瞭1～3章的主體內容及1～4章的習題，吳援明教授編寫和校對瞭4～9章的主體內容，麯健副教授編寫和校對瞭5～9章的習題，並對7～9章的主體內容進行瞭初步校對。官安全、張瑉、楊素軍、張頡等同誌參加瞭文稿的錄入工作。在此，嚮他們錶示感謝！
　　本書在編寫過程中，得到瞭電子科技大學教務處的支持，吸納瞭電子科技大學模擬電路課程組三十多位教師的教研成果和有益建議。在此，謹嚮他們錶示衷心的感謝！
　　限於編者水平，書中難免有不妥之處，懇請讀者不吝指正。
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