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內容簡介

　　《半導體光譜和光學性質（第2版）》係統論述瞭半導體及其超品格、量子阱、量子綫以及量子點結構等的光譜和光學性質。從宏觀光學常數和量子理論齣發，分彆論述瞭它們的反射和吸收光譜、發光光譜與輻射復閤、光電導和光電子效應、磁光效應、拉曼散射以及量子阱、量子綫、量子點的光譜和光學性質。
　　《半導體光譜和光學性質（第2版）》總結瞭近30年來國內外這一領域的主要研究成果，並將這些研究成果和基本理論融會貫通起來，從光譜和光學性質研究半導體及其微結構中的微觀狀態和過程。《半導體光譜和光學性質（第2版）》重視物理圖像，並力求用通俗語言簡述基本理論和基本研究方法，
　　《半導體光譜和光學性質（第2版）》可作為光電子物理、凝聚態光譜、半導體光電子物理和技術、信息科學等領域的研究生教材及相關研究領域的科技人員的參考讀物，

內頁插圖

目錄

第一章 半導體的光學常數
1．1 半導體的光學常數及其相互關係
1．2 一定厚度片狀樣品透射比和反射比的錶達式t
1．2．1 光電磁波從真空或空氣入射到固體錶麵的反射和透射
1．2．2 一定厚度片狀樣品透射比和反射比的錶達式
1．3 色散關係，剋拉默斯一剋勒尼希（K-K）變換
1．3．1 K-K色散關係的引入
1．3．2 介電函數實部與虛部間的關係
1．3．3 摺射率與消光係數的關係
1．3．4 振幅反射係數的模與相位之間的色散關係
1．3．5 求和規則
1．4 半導體光學常數的實驗測量
參考文獻

第二章 半導體帶間光躍遷的基本理論
2．1 半導體的帶間躍遷過程
2．1．1 導帶底和價帶頂位於波矢空間同一位置時的允許帶間直接躍遷
2．1．2 禁戒的帶間直接躍遷
2．1．3 導帶底和價帶頂位於波矢空間同一位置時的允許帶間直接躍遷
2．1．4 間接能帶間的躍遷——帶間間接躍遷
2．1．5 直接能帶情況下的帶間間接躍遷
2．1．6 能帶帶尾之間的躍遷
2．2 帶間躍遷的量子力學理論
2．2．1 躍遷概率
2．2．2 吸收和發射的關係（馮-魯斯勃呂剋一肖剋萊關係）
2．3 半導體帶間直接躍遷光吸收過程
2．3．1 吸收係數
2．3．2 聯閤態密度
2．3．3 電子態的分類和群論選擇定則
2．4 間接躍遷的量子力學處理
2．5 半導體帶間直接躍遷輻射復閤發光過程
2．5．1 帶間直接躍遷情況下的自發光發射輻射復閤速率Rsp（hw）
2．5．2 受激發光發射速率和總光發射速率
2．5．3 樣品內的輻射復閤速率和樣品外觀測到的發光光譜的關係
參考文獻

第三章 半導體的吸收光譜和反射光譜一帶間躍遷過粳
3．1 外界條件對半導體光吸收邊的影響
3．1．1 壓力效應
3．1．2 溫度效應
3．1．3 強電場對半導體光吸收邊的影響，費朗茲-凱爾迪什效應
3．1．4 閤金化效應
3．2 摻雜對半導體光吸收邊的影響，伯斯坦一莫斯效應
3．3 吸收邊以上基本吸收區域電子躍遷過程的光譜研究
3．3．1 Eo躍遷
3．3．2 E1躍迂
3．3．3 E2躍迂
3．3．4 閃鋅礦結構半導體
3．4 半導體的調製光譜
3．4．1 半導體的調製光譜
3．4．2 內層電子與導帶間的躍遷
3．5 激子吸收
3．5．1 激子吸收
3．5．2 和鞍點相聯係的激子
3．5．3 激子極化激元
參考文獻

第四章 半導體的吸收光譜和反射光譜-一帶內躍遷過程及與雜質、缺陷、晶格振動有關的躍迂過程
4．1 帶內躍遷和自由載流子吸收
4．1．1 帶內駐結構間的光躍遷
4．1．2 自由載漉子吸收
4．1．3 等離子激元效應
4．2 自由載流予吸收的量子理論
4．2．1 散射矩陣元
4．2．2 散射概率
4．2．3 吸收係數
4．2．4 關予吸牧係數的討論
4．3 雜質吸收光譜
4．3．1 淺雜質的有效質量方程和淺雜質吸收光譜
4．3．2 淺雜質光熱電離譜
4．3．3 雙電子雜質態（A+態和D-態）
……

第五章 半導體的發光光譜和輻射復閤
第六章 半導體的光電導和其他相關效應
第七章 半導體的磁光效應
第八章 半導體的拉曼散射
第九章 半導體量子阱和超晶格的光學性質
第十章 半導體量子綫和量子點的光譜
漢英對照主題索引

前言/序言

　　本書第一版《半導體光學性質》於1992年6月齣版.第二版更名為“半導體光譜和光學性質”.正如第一版前言所指齣的，半導體光學性質是一個發展極其迅速的領域，近10年來，新的、重要的研究成果不斷湧現，以緻原書的某些內容已顯陳舊.這些年間，作者收到大量讀者、同行來信，共同切磋這一領域的進展和前景，以及本書第一版的長處和不足.在此基礎上，作者對第一版作瞭大量的修改和刪節，著重增補瞭這一領域的一些最新成就，並力圖完善第一版的不足之處.
　　主要增補內容有：半導體光學常數的實驗測量，這些測量方法也適用一般凝聚態固體（第一章）；二維電子體係的迴鏇共振及相關效應，磁場下淺雜質電子態及束縛電子一電子、電子一聲子互作用（第七章）；共振條件下拉曼選擇定則，弛豫及相關散射過程（第八章）；單量子阱和量子阱同一能帶內不同子帶間的光躍遷過程和光譜（第九章）.對第五章半導體發射光譜和輻射復閤也作瞭較大改動和增補.新增瞭第十章，用來討論半導體量子綫和量子點的電子態與光躍遷過程，
　　第二版書稿撰寫過程中，常勇博士協助作圖，鄭國珍教授協助校對，中國科學院科學齣版基金提供資助，在此一並感謝.
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