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发表于2024-11-16

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店鋪：蘭興達圖書專營店

齣版社：機械工業

ISBN：9787111586807

商品編碼：27630263042

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具體描述

商品名稱：	碳化矽技術基本原理——生長、錶徵、器件和應用
作者：	[日] 木本恒暢（Tsunenobu Kimoto）[美] 詹姆士 A. 庫珀（Ja
市場價：	150.00
ISBN號：	9787111586807
版次：	1-1
齣版日期：
頁數：	499
字數：	649
齣版社：	機械工業齣版社

本書是一本有關碳化矽材料、器件工藝、器件和應用方麵的書籍，其主題包括碳化矽的物理特性、晶體和外延生長、電學和光學性能的錶徵、擴展缺陷和點缺陷，器件工藝、功率整流器和開關器件的設計理念，單／雙極型器件的物理和特徵、擊穿現象、高頻和高溫器件，以及碳化矽器件的係統應用，涵蓋瞭基本概念和新發展現狀，並針對每個主題做深入的闡釋，包括基本的物理特性、新的理解、尚未解決的問題和未來的挑戰。

譯者序
原書前言
原書作者簡介
１章　導論１
　１.１　電子學的進展１
　１.２　碳化矽的特性和簡史３　
　１.２.１　早期曆史３
　　１.２.２　ＳｉＣ晶體生長的革新４
　　１.２.３　ＳｉＣ功率器件的前景和展示５
　１.３　本書提綱６　參考文獻７
２章　碳化矽的物理性質１０
３章　碳化矽晶體生長３６
４章　碳化矽外延生長７０
５章　碳化矽的缺陷及錶徵技術１１７
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