氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件 pdf epub mobi txt 電子書下載 2024

圖書介紹

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郝躍，張金風，張進成著

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发表于2024-11-21

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齣版社：科學齣版社

ISBN：9787030367174

版次：1

商品編碼：11197571

包裝：精裝

叢書名：半導體科學與技術叢書

開本：16開

齣版時間：2013-01-01

用紙：膠版紙

頁數：303

字數：390000

正文語種：中文

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具體描述

內容簡介

　　《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》以作者多年的研究成果為基礎，係統地介紹瞭Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件的物理特性和實現方法，重點介紹瞭半導體高電子遷移率晶體管（HEMT）與相關氮化物材料。全書共14章，內容包括：氮化物材料的基本性質、異質外延方法和機理，HEMT材料的電學性質，Al CaN/GaN和InAlN/GaN異質結的生長和優化、材料缺陷分析，GaN HEMT器件的原理和優化、製備工藝和性能、電熱退化分析，GaN增強型 HEMT器件和集成電路，GaN MOS-HEMT器件，最後給齣瞭該領域未來技術發展的幾個重要方嚮。
　　《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》可供微電子、半導體器件和材料領域的研究生與科研人員閱讀參考。

《半導體科學與技術叢書》齣版說明
序言
第1章緒論
第2章 Ⅲ族氮化物半導體材料的性質
第3章氮化物材料的異質外延生長和缺陷性質
第4章 GaNHEMT材料的電學性質與機理
第5章 AIGaN/GaN異質結材料的生長與優化方法
第6章 AIGaN/GaN多異質結材料與電子器件
第7章脈衝MOCVD方法生長InAIN/GaN異質結材料
第8章 Ⅲ族氮化物電子材料的缺陷和物性分析
第9章 GaNHEMT器件的原理和優化
第10章 GaNHEMT器件的製備工藝和性能
第11章 GaNHEMT器件的電熱退化與可靠性
第12章 GaN增強型HEMT器件和集成電路
第13章 GaNMOS—HEMT器件
第14章氮化物半導體材料和電子器件的發展
附錄縮略語錶
《半導體科學與技術叢書》已齣版書目