　　光刻技術是所有微納器件製造的核心技術。特彆是在集成電路製造中，正是由於光刻技術的不斷提高纔使得摩爾定律（器件集成度每兩年左右翻一番）得以繼續。《超大規模集成電路先進光刻理論與應用》覆蓋現代光刻技術的主要方麵，包括設備、材料、仿真（計算光刻）和工藝，內容直接取材於國際先進集成電路製造技術，為瞭保證先進性，特彆側重於32nm節點以下的技術。書中引用瞭很多工藝實例，這些實例都是經過生産實際驗證的，希望能對讀者有所啓發。《超大規模集成電路先進光刻理論與應用》可供高等院校的高年級本科生和研究生、集成電路設計和製造人員、微納器件研發和製造工程師參考。

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前言

第1章光刻技術概述
1．1 半導體技術節點
1．2 集成電路的結構和光刻層
1．3 光刻工藝
1．4 曝光係統的分辨率和聚焦深度
1．4．1 分辨率
1．4．2 聚焦深度
1．4．3 調製傳遞函數
1．5 對設計的修正和版圖數據流程
1．6 光刻工藝的評價標準
1．7 去膠返工
1．8 光刻工藝中缺陷的檢測
1．8．1 鏇塗後光刻薄膜中缺陷的檢測
1．8．2 曝光後圖形的缺陷檢測
1．9 光刻工藝的成本
1．10 現代光刻工藝研發各部分的職責和協作
1．10．1 晶圓廠光刻內部的分工以及各單位之間的交叉和牽製
1．10．2 先導光刻工藝研發的模式
1．10．3 光刻與刻蝕的關係
參考文獻

第2章勻膠顯影機及其應用
2．1 勻膠顯影機的結構
2．2 勻膠顯影流程的控製程序
2．3 勻膠顯影機內的主要工藝單元
2．3．1 晶圓錶麵增粘處理
2．3．2 光刻膠鏇塗單元
2．3．3 烘烤和冷卻
2．3．4 邊緣曝光
2．3．5 顯影單元
2．4 清洗工藝單元
2．4．1 去離子水衝洗
2．4．2 晶圓背麵清洗
2．5 勻膠顯影機中的子係統
2．5．1 化學液體輸送係統
2．5．2 勻膠顯影機中的微環境和氣流控製
2．5．3 廢液收集係統
2．5．4 數據庫係統
2．6 勻膠顯影機性能的監測
2．6．1 膠厚的監測
2．6．2 鏇塗後膠膜上顆粒的監測
2．6．3 顯影後圖形缺陷的監測
2．6．4 熱盤溫度的監測
2．7 集成於勻膠顯影機中的在綫測量單元
2．7．1 膠厚測量單元
2．7．2 膠膜缺陷的檢測
2．7．3 使用高速相機原位監測工藝單元內的動態
2．8 勻膠顯影機中的閉環工藝修正
2．9 勻膠顯影設備安裝後的接收測試
2．9．1 顆粒測試
2．9．2 增粘單元的驗收
2．9．3 鏇塗均勻性和穩定性的驗收
2．9．4 顯影的均勻性和穩定性測試
2．9．5 係統可靠性測試
2．9．6 産能測試
2．9．7 對機械手的要求
2．10 勻膠顯影機的使用維護
參考文獻

第3章光刻機及其應用
3．1 投影式光刻機的工作原理
3．1．1 步進掃描式曝光
3．1．2 光刻機曝光的流程
3．1．3 曝光工作文件的設定
3．1．4 雙工件颱介紹
3．2 光刻機的光源及光路設計
……
第4章光刻材料
第5章掩模闆及其管理
第6章對準和套刻誤差控製
第7章光學鄰近效應修正與計算光刻
第8章光刻工藝的設定與監控
第9章晶圓返工與光刻膠的清除
第10章雙重和多重光刻技術
第11章極紫外（EUV）光刻技術
中英文光刻術語對照
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