基本信息

• 商品名稱：納米集成電路製造工藝(第2版)
• 作者：編者:張汝京
• 定價：89
• 齣版社：清華大學
• ISBN號：9787302452331

其他參考信息（以實物為準）

• 齣版時間：2017-01-01
• 印刷時間：2017-01-01
• 版次：2
• 印次：1
• 開本：16開
• 包裝：平裝
• 頁數：471
• 字數：744韆字

內容提要

張汝京等編著的《納米集成電路製造工藝(第2版 )》共分19章，涵蓋**集成電路工藝的發展史，集 成電路製造流程、介電薄膜、金屬化、光刻、刻蝕、 錶麵清潔與濕法刻蝕、摻雜、化學機械平坦化，器件 參數與工藝相關性，DFM(Design for Manufacturing)，集成電路檢測與分析、集成電路的 可靠性，生産控製，良率提升，芯片測試與芯片封裝 等項目和課題。
     **從事半導體産業的科研工作者、技術工作者 和研究生可使用本書作為教科書或參考資料。
    

目錄

**章 半導體器件
1.1 N型半導體和P型半導體
1.2 PN結二極管
1.2.1 PN結自建電壓
1.2.2 理想PN結二極管方程
1.3 雙極型晶體管
1.4 金屬-氧化物-半導體場效應晶體管
1.4.1 綫性模型
1.4.2 非綫性模型
1.4.3 閾值電壓
1.4.4 襯底偏置效應
1.4.5 亞閾值電流
1.4.6 亞閾值理想因子的推導
1.5 CMOS器件麵臨的挑戰
1.6 結型場效應晶體管
1.7 肖特基勢壘柵場效應晶體管
1.8 高電子遷移率晶體管
1.9 無結場效應晶體管
1.9.1 圓柱體全包圍柵無結場效應晶體管突變耗盡層近似器件模型
1.9.2 圓柱體全包圍柵無結場效應晶體管完整器件模型
1.9.3 無結場效應晶體管器件製作
1.10 量子阱場效應晶體管
1.11 小結
參考文獻
第2章 集成電路製造工藝發展趨勢
2.1 引言
2.2 橫嚮微縮所推動的工藝發展趨勢
2.2.1 光刻技術
2.2.2 溝槽填充技術
2.2.3 互連層RC延遲的降低
2.3 縱嚮微縮所推動的工藝發展趨勢
2.3.1 等效柵氧厚度的微縮
2.3.2 源漏工程
2.3.3 自對準矽化物工藝
2.4 彌補幾何微縮的等效擴充
2.4.1 高k金屬柵
2.4.2 載流子遷移率提高技術
2.5 展望
參考文獻
第3章 CMOS邏輯電路及存儲器製造流程
3.1 邏輯技術及工藝流程
3.1.1 引言
3.1.2 CMOS工藝流程
3.1.3 適用於高k柵介質和金屬柵的柵*後形成或置換金屬柵CMOS工藝流程
3.1.4 CMOS與鰭式MOSFET(FinFET)
3.2 存儲器技術和製造工藝
3.2.1 概述
3.2.2 DRAM和eDRAM
3.2.3 閃存
3.2.4 FeRAM
3.2.5 PCRAM
3.2.6 RRAM
3.2.7 MRAM
3.2.8 3D NAND
3.2.9 CMOS圖像傳感器
3.3 無結場效應晶體管器件結構與工藝
參考文獻
第4章 電介質薄膜沉積工藝
4.1 前言
4.2 氧化膜/氮化膜工藝
4.3 柵極電介質薄膜
4.3.1 柵極氧化介電層-氮氧化矽(SiOxNy)
4.3.2 高k柵極介質
4.4 半導體*緣介質的填充
4.4.1 高密度等離子體化學氣相沉積工藝
4.4.2 O3-TEOS的亞常壓化學氣相沉積工藝
4.5 超低介電常數薄膜
4.5.1 前言
4.5.2 RC delay對器件運算速度的影響
4.5.3 k為2.7～3.0的低介電常數材料
4.5.4 k為2.5的超低介電常數材料
4.5.5 刻蝕停止層與銅阻擋層介電常數材料
參考文獻
第5章 應力工程
第6章 金屬薄膜沉積工藝及金屬化
第7章 光刻技術
第8章 乾法刻蝕
第9章 集成電路製造中的汙染和清洗技術
**0章 超淺結技術
**1章 化學機械平坦化
**2章 器件參數和工藝相關性
**3章 可製造性設計
**4章 半導體器件失效分析
**5章 集成電路可靠性介紹
**6章 集成電路測量
**7章 良率改善
**8章 測試工程
**9章 芯片封裝