半導體器件物理基礎（第2版）/普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材 pdf epub mobi txt 電子書下載 2024

圖書介紹

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曾樹榮著

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发表于2024-12-26

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齣版社：北京大學齣版社

ISBN：9787301054567

版次：2

商品編碼：10152542

包裝：平裝

開本：16開

齣版時間：2007-01-01

用紙：膠版紙

頁數：378

字數：566000

正文語種：中文

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半導體器件物理基礎（第2版）/普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材 pdf epub mobi txt 電子書下載 2024

具體描述

內容簡介

　　本書內容大體可分為兩個部分。前兩章為第一部分，介紹學習半導體器件必須的知識，包括半導體基本知識和pn結理論；其餘各章為第二部分，闡述主要半導體器件的基本原理和特性，這些器件包括：雙極型晶體管、化閤物半導體場效應晶體管、MOS器件、微波二極管、量子效應器件和光器件。每章末均有習題，書後附有習題參考解答。
　　本書簡明扼要，討論深入，內容豐富，可作為大學有關專業半導體物理與器件方麵課程的教材或參考書，分章節供本科生和研究生使用；也可供有關研究人員參考。

主要符號錶
第一章半導體基本知識
1.1 半導體材料和載流子模型
1.2 晶格振動
1.3 載流子輸運現象
1.4 半導體的光學性質
第二章 Pn結
2.1 熱平衡狀態
2.2 耗盡區和耗盡層電容
2.3 真流特性
2.4 交流小信號特性：擴散電容
2.5 電荷存儲和反嚮恢復時間
2.6 結的擊穿
第三章雙極型晶體管
3.1 基本原理
3.2 雙極型晶體管的真流特性
3.3 雙極型晶體管模型
3.4 雙極型晶體管的頻率特性
3.5 雙極型晶體管的開關特性
3.6 異質結雙極晶體管（HBT）
3.7 多晶矽發射極晶體管（PET）
3.8 Pnpn結構
第四章化閤物半導體場效應晶體管
4.1 肖特基勢壘和歐姆接觸
4.2 GaAs MESFET
4.3 高電子遷移率晶體管（HEMT）
第五章 MOS器件
第六章微波二極管，量子效應器件
第七章半導體光器件
附錄