半導體器件物理基礎（第2版）/普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

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曾樹榮 著

圖書標籤:

• 半導體
• 器件物理
• 物理學
• 電子學
• 高等教育
• 教材
• 電子工程
• 固體物理
• 半導體材料
• 微電子學

出版社： 北京大学出版社

ISBN：9787301054567

版次：2

商品编码：10152542

包装：平装

开本：16开

出版时间：2007-01-01

用纸：胶版纸

页数：378

字数：566000

正文语种：中文

內容簡介

　　本書內容大體可分為兩個部分。前兩章為第一部分，介紹學習半導體器件必須的知識，包括半導體基本知識和pn結理論；其餘各章為第二部分，闡述主要半導體器件的基本原理和特性，這些器件包括：雙極型晶體管、化閤物半導體場效應晶體管、MOS器件、微波二極管、量子效應器件和光器件。每章末均有習題，書後附有習題參考解答。
　　本書簡明扼要，討論深入，內容豐富，可作為大學有關專業半導體物理與器件方麵課程的教材或參考書，分章節供本科生和研究生使用；也可供有關研究人員參考。

目錄

主要符號錶
第一章 半導體基本知識
1.1 半導體材料和載流子模型
1.2 晶格振動
1.3 載流子輸運現象
1.4 半導體的光學性質
第二章 Pn結
2.1 熱平衡狀態
2.2 耗盡區和耗盡層電容
2.3 真流特性
2.4 交流小信號特性：擴散電容
2.5 電荷存儲和反嚮恢復時間
2.6 結的擊穿
第三章 雙極型晶體管
3.1 基本原理
3.2 雙極型晶體管的真流特性
3.3 雙極型晶體管模型
3.4 雙極型晶體管的頻率特性
3.5 雙極型晶體管的開關特性
3.6 異質結雙極晶體管（HBT）
3.7 多晶矽發射極晶體管（PET）
3.8 Pnpn結構
第四章 化閤物半導體場效應晶體管
4.1 肖特基勢壘和歐姆接觸
4.2 GaAs MESFET
4.3 高電子遷移率晶體管（HEMT）
第五章 MOS器件
第六章 微波二極管，量子效應器件
第七章 半導體光器件
附錄

前言/序言

《半導體器件物理基礎（第2版）/普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材》圖書簡介 本書作為一本深入探討半導體器件物理基礎的教材，旨在為讀者構建堅實的理論框架，理解各類半導體器件的工作原理。全書涵蓋瞭半導體物理的核心概念，從本徵半導體的載流子特性齣發，逐步深入到摻雜半導體的導電機製，以及PN結的形成與特性。在此基礎上，教材詳細闡述瞭二極管、三極管（BJT）和場效應管（FET）等基本半導體器件的結構、工作原理、電學特性以及重要的等效電路模型。 內容上，本書首先介紹瞭半導體材料的晶體結構和能帶理論，解釋瞭電子和空穴的産生與運動。接著，重點討論瞭費米能級、載流子濃度與溫度、磁場和電場的關係。隨後，教材深入分析瞭PN結的形成過程，包括載流子擴散、漂移以及內建電場，並詳細介紹瞭PN結的單嚮導電性、伏安特性麯綫、電容效應以及擊穿現象。 在三極管部分，本書係統講解瞭雙極結型晶體管（BJT）的結構、工作原理，包括基區、發射區和集電區的摻雜濃度差異及其對載流子注入和收集的影響。內容涵蓋瞭BJT的放大區、飽和區和截止區等工作模式，並詳細推導瞭其輸入輸齣特性麯綫。同時，也介紹瞭BJT的各種小型信號等效電路模型，為後續的放大電路設計奠定瞭基礎。 對於場效應管（FET），本書全麵介紹瞭其基本類型，包括結型場效應管（JFET）和金屬-氧化物-半導體場效應管（MOSFET）。對於JFET，闡述瞭其柵壓對溝道導電性的控製機製，以及不同工作模式下的特性。對於MOSFET，則重點講解瞭其結構，包括柵極、氧化層、半導體襯底和源漏區，以及閾值電壓、跨導等關鍵參數。本書詳細分析瞭MOSFET的增強型和耗盡型工作原理，並給齣瞭其輸入輸齣特性麯綫和等效電路模型。 此外，本書還對一些更復雜的半導體器件，如集成電路中常用的MOSFET，進行瞭深入的探討。內容可能涉及到MOSFET的柵控效應、溝道調製效應以及漏電流的飽和和非飽和區域。 本書的特點在於，其內容邏輯清晰，由淺入深，循序漸進。通過豐富的圖示和例題，幫助讀者更直觀地理解抽象的物理概念。同時，教材注重理論與實際應用的結閤，為學生將來從事半導體器件設計、製造、測試和應用等相關工作打下堅實的理論基礎。它不僅適閤作為高等院校電子工程、微電子學、物理學等專業本科生的基礎教材，也可作為研究生和相關領域研究人員的重要參考書。 （請注意：以上簡介是根據您提供的書名《半導體器件物理基礎（第2版）/普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材》推測的內容。為瞭確保簡介的準確性，最終內容請以該書的實際目錄和內容為準。）

评分☆☆☆☆☆

MOSFET部分是這本書我投入精力最多的章節之一。從MIS（金屬-絕緣層-半導體）結構的形成開始，作者就一步步引導讀者理解電場效應是如何調控溝道導電性的。我花瞭很長時間去弄懂閾值電壓的含義及其計算，書中通過對柵電壓、氧化層厚度和半導體材料特性的分析，給齣瞭詳細的推導過程。書中對N溝道和P溝道的增強型和耗盡型MOSFET都進行瞭詳細的介紹，包括它們的結構、工作原理以及轉移特性麯綫。在講述MOSFET的輸齣特性麯綫時，作者也詳細解釋瞭綫性區、飽和區和夾斷區的物理含義，以及載流子遷移率的飽和現象。

评分☆☆☆☆☆

本書對於器件可靠性和工藝製程的觸及，雖然不是核心內容，但卻給齣瞭很好的概覽。例如，在講解MOSFET的柵氧化層時，書中簡要介紹瞭氧化層的缺陷對器件性能的影響，以及可能導緻擊穿的原因。雖然沒有深入到具體的工藝流程，但其點齣瞭工藝在器件性能中的重要性，以及對材料科學的依賴。書中也提到瞭器件的封裝和測試，以及一些常見的失效模式，這對於理解一個器件從理論走嚮實際應用的整個過程非常有啓發。

评分☆☆☆☆☆

我特彆欣賞這本書在講解復雜概念時的“循序漸進”原則。例如，在介紹結型場效應晶體管（JFET）時，作者先從PN結的原理齣發，然後類比地講解瞭JFET的溝道調製過程，通過改變柵源電壓來改變耗盡層的寬度，從而控製溝道的導電性。對於JFET的輸齣特性麯綫和轉移特性麯綫，書中也做瞭詳細的分析，並解釋瞭其與BJT和MOSFET的區彆。書中對JFET的輸入電阻、跨導以及頻率特性也進行瞭簡要的介紹，盡管篇幅不如BJT和MOSFET多，但足夠提供一個初步的認識。

评分☆☆☆☆☆

接觸到雙極型晶體管（BJT）的部分，我感覺這本書的深度進一步提升。作者從PNP和NPN結構入手，詳細分析瞭電流的傳輸過程，包括載流子的注入、擴散、復閤以及收集。我特彆關注瞭電流放大係數β的推導，以及影響β的各種因素，比如基區寬度、摻雜濃度以及復閤率。書中對不同工作狀態（截止、放大、飽和）下的BJT特性分析也非常到位，從能帶圖的角度解釋瞭各種狀態下的載流子流動和能量狀態。此外，對於BJT的輸入輸齣特性麯綫，書中也進行瞭詳細的解讀，並給齣瞭不同偏置條件下的等效電路模型，這對於進一步進行放大電路的設計非常有幫助。

评分☆☆☆☆☆

本書在器件特性的深入分析上，確實做到瞭“細緻入微”。例如，對於MOSFET的亞閾值區，書中不僅解釋瞭其存在的物理原因，還給齣瞭相應的數學模型，並分析瞭亞閾值擺幅（Subthreshold Swing）這一重要參數的意義，這對於低功耗器件的設計尤為重要。此外，作者還探討瞭MOSFET在高頻下的錶現，包括寄生電容的影響以及跨導的頻率響應。書中對襯底電壓效應對閾值電壓的影響，以及溫度對MOSFET特性的影響也都進行瞭深入的分析，這些都是在實際器件應用中需要考慮的重要因素。

评分☆☆☆☆☆

拿到這本《半導體器件物理基礎（第2版）》的時候，我抱著學習的熱情，希望能夠係統地梳理一下半導體物理的基礎知識，為後續的器件設計和分析打下堅實的基礎。這本書的編排確實遵循瞭從基礎理論到具體器件的邏輯，開篇對於晶體結構、能帶理論、載流子統計等概念的闡述，力求深入淺齣。我尤其欣賞作者在講解能帶理論時，並沒有僅僅停留在概念層麵，而是輔以瞭大量的圖示和類比，例如通過“電子在勢阱中的運動”來類比“電子在晶體中的運動”，這種方式極大地降低瞭理解的門檻。對於本徵半導體和雜質半導體的區分，也做瞭非常細緻的描述，包括不同摻雜濃度下載流子濃度的變化規律，以及費米能級的移動。這些內容對於理解後續PN結的形成至關重要。

评分☆☆☆☆☆

這本書在PN結部分的講解，可以說是相當詳盡。我花瞭大量時間去理解其形成機理，從載流子擴散到漂移，再到耗盡層的形成，以及內建電場的産生，整個過程都被拆解得非常清晰。作者在介紹PN結的伏安特性麯綫時，不僅僅是給齣瞭理論公式，還深入探討瞭不同工作區域（正偏、反偏、擊穿）的物理機製。例如，對於正偏電壓下載流子注入和復閤的過程，書中詳細解釋瞭少數載流子如何剋服勢壘，以及注入到對方區域後如何與多數載流子復閤。而在反偏狀態下，對於漏電流的分析，則重點闡述瞭熱激發産生和錶麵漏電等多種因素的影響。尤其是擊穿部分，書中詳細區分瞭雪崩擊穿和齊納擊穿的微觀機理，並給齣瞭相應的工程經驗公式，這對於實際器件設計中的安全電壓選擇非常有指導意義。

评分☆☆☆☆☆

在閱讀過程中，我發現這本書在理論推導上，非常注重數學模型的建立和嚴謹性。例如，在推導載流子遷移率模型時，作者不僅考慮瞭電場效應，還探討瞭晶格散射、雜質散射等多種因素的影響，並給齣瞭相應的數學錶達式。對於熱激發電流量的計算，書中也給齣瞭詳細的積分和近似推導過程，力求讓讀者理解公式的由來。這些嚴謹的數學推導，雖然初看有些燒腦，但仔細研讀後，能夠幫助我真正理解背後的物理機製，而不是停留在錶麵的記憶。

评分☆☆☆☆☆

總的來說，這本書的優點在於其理論體係的完整性和內容的深度。從最基礎的半導體材料特性，到復雜的器件工作原理，都做瞭比較係統的闡述。書中大量引用的圖錶和公式，雖然需要耐心去消化，但它們確實是理解半導體器件物理的“語言”。當然，如果書中能增加一些更貼近實際應用的案例分析，或者在某些章節提供一些更詳細的仿真實例，相信會更具實踐指導意義。但就作為一本“普通高等教育‘十一五’國傢級規劃教材”而言，它無疑是閤格且優秀的，為我打下瞭堅實的理論基礎。

评分☆☆☆☆☆

對於一些特殊的半導體器件，如光電器件和功率器件，本書也給予瞭一定的篇幅。在光電器件部分，書中介紹瞭PN結光電二極管和太陽能電池的基本原理，包括光生載流子的産生和收集過程，以及其伏安特性。在功率器件方麵，雖然篇幅有限，但也簡要提及瞭PNPN器件（如SCR）的工作原理，以及其作為開關器件的應用。這些內容為我打開瞭更廣闊的視野，讓我意識到半導體物理基礎在各種不同類型的器件中都有著廣泛的應用。

评分☆☆☆☆☆

这个还是很好的呢。。

评分☆☆☆☆☆

书收到了，速度非常快 不错的书，内容很丰富，排版很合理，一拿到就爱不释手！绝对是正版的，给图片上的一样，而且崭新的需要特别强调的是京东订的价格真的很低，服务态度也很好。快递公司服务很到位，把书拿到4楼上来了（比什么破“汇通快运”好多了！）。表演卖家和快递公司！走过路过千万不要错过，全5分！“我只要在搜索框内输入书名、作者，就会有好多书摆在我面前供我挑选，价格方面还可以打折，这样便捷与优惠的购书方式我怎么可能不选择呢！”经常在网上购物的弟弟幸福的告诉我。据调查统计，当前网上书店做得较好的的网站有京东等。现在大街小巷很多人都会互相问候道：“今天你京东了吗？”，因为网络购书已经得到了众多书本爱好者的信任，也越来越流行。基于此，我打开网页，开始在京东狂挑书。通读这本书，是需要细火慢烤地慢慢品味和幽寂沉思的。亲切、随意、简略，给人洁净而又深沉的感触，这样的书我久矣读不到了，今天读来实在是一件叫人高兴之事。作者审视历史，拷问灵魂，洋溢着哲思的火花。人生是一段段的旅程，也是需要承载物的。因为火车，发生过多少相聚和分离。当一声低鸣响起，多少记忆将载入历史的尘梦中啊。其实这本书一开始我也没看上，是朋友极力推荐加上书封那个有点像史努比的小人无辜又无奈的小眼神吸引了我，决定只是翻一下就好，不过那开篇的序言之幽默一下子便抓住了我的眼睛，一个词来形容——“太逗了”。|据悉，京东已经建立华北、华东、华南、西南、华中、东北六大物流中心，同时在全国超过360座城市建立核心城市配送站。是中国最大的综合网络零售商，是中国电子商务领域最受消费者欢迎和最具有影响力的电子商务网站之一，在线销售家电、数码通讯、电脑、家居百货、服装服饰、母婴、图书、食品、在线旅游等12大类数万个品牌百万种优质商品。选择京东。好了，现在给大家介绍两本好书：《电影学院037?电影语言的语法:电影剪辑的奥秘》编辑推荐：全球畅销三十余年并被翻译成数十种语言，被公认为讨论导演、摄影、剪辑等电影影像画面组织技巧方面最详密、实用的经典之作。|从实践出发阐明摄影机位、场面调度、剪辑等电影语言，为“用画面讲故事”奠定基础；百科全书式的工作手册，囊括拍摄中的所有基本设计方案，如对话场面、人物运动，使初学者能够迅速掌握专业方法；近500幅机位图、故事板贯穿全书，帮助读者一目了然地理解电影语言；对大量经典影片的典型段落进行多角度分析，如《西北偏北》、《放大》、《广岛之恋》、《桂河大桥》，深入揭示其中激动人心的奥秘；《致青年电影人的信:电影圈新人的入行锦囊》是中国老一辈电影教育工作者精心挑选的教材，在翻译、审订中投入了巨大的心力，译笔简明、准确、流畅，惠及无数电影人。二、你是否也有错过的挚爱？有些人，没有在一起，也好。如何遇见不要紧，要紧的是，如何告别。《莫失莫忘》并不简单是一本爱情小说，作者将众多社会事件作为故事的时代背景，俨然一部加长版的《倾城之恋》。“莫失莫忘”是贾宝玉那块通灵宝玉上刻的字，代表着一段看似完美实则无终的金玉良缘。叹人间美中不足今方信，纵然是举案齐眉，到底意难平。“相爱时不离不弃，分开后莫失莫忘”，这句话是秋微对感情的信仰，也是她对善缘的执念。才女作家秋微近几年最费心力写的一本小说，写作过程中由于太过投入，以至揪心痛楚到无法继续，直至完成最后一个字，大哭一场，才得以抽离出这份情感，也算是对自己前一段写作生涯的完美告别。

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这个还是很好的呢。。

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还是挺不错的，赞一个~

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正版书，没什么说的

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赞赞赞赞赞

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书是正品，很好，清晰，看着很舒服。就是稍微有点小贵。

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还行吧，就是贵了一点

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正版书，没什么说的