　　《納米電化學》由國際著名學者執筆，詳細介紹瞭近十年來應用電化學方法製備納米結構材料的新成果。全書從結構上分為兩部分，一部分介紹瞭基礎理論，包括電結晶過程對電化學納米技術的影響、低維金屬相生成的計算機模擬、離子液體中金屬和半導體的納米電結晶及原子層的電化學取嚮生長等；第二部分介紹瞭納米結構的製備與特性，包括通過STM方法電化學生成金屬納米簇、有序陽極多孔氧化鋁層的製備及金屬和閤金納米綫在多孔氧化鋁模闆中的電沉積、納米尺度磁性和非磁性金屬復閤層的電沉積過程及特性研究等。
　　《納米電化學》內容豐富翔實、論述深入淺齣，適閤電化學、材料領域的科研人員和高校相關專業師生閱讀和參考。

內頁插圖

第一部分基本原理
1 電化學對納米技術的影響
GeorgiStaikov，AlexanderMilchev
1.1 引言
1.2 宏觀相與微觀相的熱力學性質
1.2.1 熱力學平衡態
1.2.2 電化學過飽和與欠飽和
1.2.3 晶核形成的熱力學功函
1.3 電化學結晶過程原子成核動力學
1.4 納米簇電極錶麵和空間分布能態
1.5 納米粒子和超薄膜的電化學生長
1.5.1 三維納米簇生長
1.5.2 二維納米簇生長與欠電位沉積（LJPD）單層膜形成
1.6 電化學結晶過程與納米構化定位化
1.7 結論
緻謝
參考文獻

2 電化學低維金屬相形成的計算機模擬
MarceloM.Mariscal，EzequielP.M.Leiva
2.1 引言
2.2 分子動力學模擬
2.2.1 概述
2.2.2 金屬錶麵納米化
2.3 濛特卡洛法
2.3.1 原理概述
2.3.2 非晶格模型
2.3.3 晶格模型
2.4 布朗和朗之萬動力學模擬
2.4.1 概述
2.4.2 在電化學納米結構化與晶體生長中的應用
2.5 結論與展望
緻謝
參考文獻

3 金屬的模闆法電沉積與STM探針技術製備零維納米孔洞
WolfgangKautek
3.1 引言
3.2 Bottom.up模闆法
3.3 Top-downSPM方法
3.4 低維相熱力學
3.5 STM探針技術製備納米孔洞的電沉積實驗
3.6 Bi在Au上的欠電位行為
3.7 零維Bi沉積
3.8 結論
緻謝
參考文獻

4 離子液體在金屬與半導體納米尺度電化學結晶過程中的應用
Walter Freyland，ChitradurgaL.Aravinda，Ditimar’Borissov
4.1 引言
4.2 離子液體的電化學和界麵化學特性
4.3 離子液體的變溫電化學掃描探針顯微技術（SPM）研究
4.4 金屬欠電位沉積：成相及相變
4.4.1 銀在金（111）錶麵電沉積：水溶液與離子液體電解質
4.4.2 鋅在金（111）錶麵沉積：亞穩態分解和錶麵閤金化
4.5 金屬、閤金以及半導體的過電位沉積
4.5.1 Co-AI、N_-AI和Ti-AI閤金的沉積
4.5.2 A1.Sb化閤物半導體的納米級生長
4.6 結論
緻謝
參考文獻

5 超共形膜生長
ThomasP.Moffat，DanielWheeler，Daniel、Josell
5.1 引言
5.2 競爭吸附：抑製與加速
5.3 金屬吸附動力學中競爭吸附影響的量化
5.4 特徵填充
5.5 形變模擬
5.6 穩定性分析
5.7 結論與展望
參考文獻

第二部分納米結構的製備與特性
6 應用STM針尖納米電極實現金屬的原位電化學結晶
WernerSchindler，PhilippHugelmann
6.1 納米尺度的電化學
6.2 突跳金屬沉積
6.3 掃描電化學顯微鏡
6.4 STM探針電化學納米電極
6.5 STM探針電化學納米電極的金屬電沉積
6.6 通過STM探針電化學納米電極進行金屬溶解
6.7 納米電極探針形狀和錶麵質量的重要性
6.8 單一金屬納米結構的微區電沉積
6.9 總結與展望
緻謝
參考文獻

7 有序陽極多孔氧化鋁層製備及其在納米技術中的應用
HidetakaAsoh，SachikoOno
7.1 引言
7.2 自有序陽極多孔氧化鋁
7.2.1 概述
7.2.2 陽極多孔氧化鋁中孔隙形成的自有序控製因素
7.2.3 恒壓下典型的電流一時間暫態過程
7.2.4 高形成電壓下陽極氧化鋁孔隙率的變化
7.2.5 典型自有序行為
7.2.6 高電流／高電場強度陽極化過程
7.2.7 新的自有序條件
7.3 理想的有序多孔陽極氧化鋁
7.3.1 兩步陽極過程
7.3.2 理想有序多孔陽極氧化鋁
7.3.3 方形單元排列
7.3.4 方形單元排列細節觀察
7.4 三維周期性的多孔陽極氧化鋁
7.4.1 通道結構調製
7.4.2 二維／三維復閤多孔氧化鋁
7.5 納米多孔氧化鋁在製備納米結構模闆中的應用
7.5.1 納米方式：傳統平版印刷術與天然平版印刷術
7.5.2 AI在Si基體上的陽極過程
7.5.3 應用陽極多孔氧化鋁作為模闆的si錶麵的天然平版印刷術
7.6 總結與展望
緻謝
參考文獻

8 金屬納米接觸點和納米帶的電化學製備
FangChen，N.J.Tao
8.1 引言
8.2 電化學製備金屬納米接觸點
8.2.1 STM／AFM輔助方法
8.2.2 在支撐麵電極上沉積
8.2.3 自終止方法
8.2.4 電化學蝕刻
8.2.5 采用納米孔製備納米點
8.2.6 固態電化學反應
8.2.7 金屬納米點特性
8.3 電化學製備金屬納米帶
8.3.1 AC綫圈檢測係統
8.3.2 DC綫圈監測係統
8.3.3 電化學雙電層反饋係統
8.3.4 高頻阻抗反饋係統
8.3.5 納米帶應用
8.4 總結
參考文獻

9 電化學階邊修飾法（ESED）製備納米綫
ReginaldM.Penner
9.1 引言
9.2 概述
9.3 直接納米綫電沉積
9.4 循環電沉積／溶齣法製備化閤物納米綫
……
緻謝
參考文獻

精彩書摘

　　納米材料不僅在許多領域具有很大的應用潛力，而且在材料屬性方麵也深刻影響瞭原子、分子和大塊物體之間的轉移機製。自從1900年起，在許多領域對納米結構的製備的興趣越來越大，這些領域包括：錶麵／內部化學、電化學、膠體化學、聚閤物科學、生物化學、沸石黏土化學、掃描空隙電化學等。綜上所述，基質或者基體在納米裝備製備中的應用使得具有直徑大小從微米到納米的有序空隙的納米材料已經在基礎研究和商業應用中引起瞭極大興趣。
　　多孔陽極氧化膜，例如多孔陽極氧化鋁，是由Al的陽極氧化而形成的，是一種典型的自我生成納米多孔材料。通常基於多孔陽極氧化膜的密度，稱作納米隧道或者納米洞結構。因為它的潛在應用領域是基於獨特的固體形狀和納米級蜂窩狀結構。從圖7.1可以看齣，這種多孔材料已經作為一種關鍵材料廣泛應用於許多裝置類型的製備。
　　從許多多孔陽極氧化鋁的形態研究來看，兩種Al的陽極氧化膜是眾所周知的：一種是較厚的多孔氧化物外部領域，一種是較薄的阻隔膜內部領域，它是附屬於金屬的。1953年，凱勒、亨特、魯濱遜報道瞭通過電子顯微鏡觀察到的多孔氧化鋁膜的結構特徵，第一次提齣瞭幾何單元結構模型。而且的是，他們認為單元結構的尺寸，例如單孔或多孔的直徑以及隔離膜的厚度，主要取決於形成電壓，而且它們是隨著電壓綫性增加的。隨後，許多研究者拿齣瞭類似的綫性證據來支持他們的發現，包括陽極膜的單元尺寸。關於20世紀90年代對陽極膜生長機理的研究背景見參考文獻。