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內容簡介

　　《模擬電路與數字電路（第3版）/普通高等教育“十一五”國寶規劃教材·電子信息類精品教材》為普通高等教育“十一五”國寶規劃教材；2009年普通高等教育國傢精品教材；2013年入選“十二五”江蘇省高等學校重點教材。
　　《模擬電路與數字電路（第3版）/普通高等教育“十一五”國寶規劃教材·電子信息類精品教材》主要介紹模擬電路和數字電路的基本理論與基本計算，全書內容分為四個部分，共13章。第一部分為第1章緒論，介紹電子電路相關基本概念；第二部分為模擬電路，包括第2～7章，內容為：半導體器件基礎、放大電路基礎、放大電路中的反饋、集成運算放大器、正弦波振蕩電路和直流穩定電源；第三部分為數字電路，包括第8～13章，內容為：數字邏輯基礎、組閤邏輯電路、時序邏輯電路引論、時序邏輯電路的分析和設計、存儲器和可編程邏輯器件，以及脈衝信號的産生與整形；第四部分為附錄A~F，內容包括：半導體分立元件和集成電路型號命名方法、半導體器件産品說明書舉例、電子電路教學常用EDA軟件簡介、集成電路基礎知識、習題參考解答和常見電子電路術語中英文對照。
　　《模擬電路與數字電路（第3版）/普通高等教育“十一五”國寶規劃教材·電子信息類精品教材》注重基本概念、基本原理與基本計算的介紹，力求敘述簡明扼要，通俗易懂，圖形符號均采用瞭新國標，可以作為普通高等院校非電類各專業、電氣信息類計算機專業及其他相近專業的電子技術基礎課程教材，也可供有關工程技術人員參考。

作者簡介

　　寇戈，博士，南京理工大學光電學院教授，組織編寫《模擬電路與數字電路》教材，獲得普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材，江蘇省高校重點教材。

目錄

第一部 分
第1章 緒論
1.1電子技術相關基本概念
1.2與人們生活相關的電子技術及
産品
1.3電子技術的發展曆史及其研究
熱點
1.3.1電子技術的發展曆史
1.3.2與電子技術相關的研究熱點
1.4電路模型
1.5電子電路的特點及研究
方法
1.6學習本課程的目的及方法
本章小結

第二部分模 擬 電 路
第2章 半導體器件基礎
2.1半導體的基本知識
2.1.1本徵半導體
2.1.2雜質半導體
2.1.3PN結及其單嚮導電性
2.2晶體二極管
2.2.1晶體二極管的結構、符號、
類型
2.2.2晶體二極管的伏安特性與等效
電路
2.2.3晶體二極管的主要參數
2.2.4晶體二極管的溫度特性
2.2.5晶體二極管的應用
2.2.6穩壓管
2.3晶體三極管
2.3.1晶體三極管的結構、符號、類型及
應用
2.3.2晶體三極管的電流分配及放大
作用
2.3.3晶體三極管的輸入特性與輸齣
特性
2.3.4晶體三極管的主要參數
2.4場效應管
2.4.1場效應管的結構、類型
2.4.2場效應管的工作原理
2.4.3場效應管的特性麯綫
2.4.4場效應管的符號錶示及主要
參數
2.4.5各種場效應管比較
本章小結
習題
第3章 放大電路基礎
3.1放大電路的基本概念
3.2共發射極放大電路
3.2.1共發射極組態基本放大電路的
構成
3.2.2共發射極組態基本放大電路的
工作原理
3.3放大電路的分析方法
3.3.1靜態和動態
3.3.2直流通路和交流通路
3.3.3放大電路的靜態分析
3.3.4放大電路的動態分析――圖解
分析法
3.3.5放大電路的動態分析――小信號
模型法
3.4用H參數小信號模型分析共
發射極基本放大電路
3.4.1求電壓增益
3.4.2求輸入電阻和輸齣電阻
3.5穩定靜態工作點的放大
電路
3.5.1溫度對工作點的影響
3.5.2分壓式偏置電路
3.6共集電極電路和共基極
電路
3.6.1共集電極放大電路（射極輸
齣器）
3.6.2共基極放大電路
*3.6.3三種組態的H參數分析
3.6.4三種基本組態放大電路的
比較
3.7放大電路的頻率響應
3.7.1幅頻特性和相頻特性
3.7.2波特圖
3.7.3共發射極放大電路的頻率
特性
3.8場效應管放大電路
3.8.1FET放大電路的靜態分析
3.8.2FET放大電路的小信號模型
分析法
*3.8.3FET三種組態的比較
3.9多級放大電路
3.9.1多級放大電路概述
3.9.2多級放大電路的分析
3.10放大電路的主要性能指標
本章小結
習題
第4章 放大電路中的反饋
4.1反饋的基本概念
4.2反饋的分類
4.3負反饋放大電路的增益
4.4負反饋對放大電路性能的
改善
本章小結
習題
第5章 集成運算放大器
5.1集成運算放大器的構成
5.1.1差分式放大電路
5.1.2差分式放大電路的靜態分析
和動態分析
5.1.3偏置電路
5.1.4功率放大電路
5.2集成運算放大器
5.2.1集成運算放大器的符號
5.2.2集成運算放大器的主要
參數
5.2.3理想運算放大器的特性
5.3集成運算放大器的基本運算
電路
5.3.1求和運算電路
5.3.2減法運算電路
5.3.3積分電路和微分電路
*5.3.4對數電路和指數電路
5.4集成運算放大器的非綫性
應用
5.4.1電壓比較器
*5.4.2非正弦波産生電路
本章小結
習題
第6章 正弦波振蕩電路
6.1正弦波振蕩電路的基本
原理
6.2正弦波振蕩電路的組成、分類
和分析方法
6.3RC振蕩電路
6.3.1文氏橋式振蕩電路
6.3.2RC移相式振蕩電路
6.3.3雙T式振蕩電路
6.4LC振蕩電路
*6.5石英晶體振蕩電路
本章小結
習題
第7章 直流穩壓電源
7.1直流穩壓電源的基本組成
7.2整流電路
7.2.1半波整流電路
7.2.2單相全波整流電路
7.2.3橋式全波整流電路
7.3濾波電路
7.3.1電容濾波
7.3.2其他濾波電路
7.4穩壓電路
7.4.1穩壓管穩壓電路
7.4.2晶體管串聯型穩壓電路
*7.4.3晶體管開關型穩壓電路
7.4.4集成穩壓電路
本章小結
習題

第三部分數 字 電 路
第8章 數字邏輯基礎
8.1數製與BCD碼
8.1.1常用數製
8.1.2幾種簡單的編碼
8.2邏輯代數基礎
8.2.1基本邏輯運算
8.2.2復閤邏輯運算
8.2.3邏輯電平與正、負邏輯
8.2.4基本定律和規則
8.2.5邏輯函數的標準形式
8.2.6邏輯函數的化簡
本章小結
習題
第9章 組閤邏輯電路
9.1由基本邏輯門構成的組閤電路
的分析和設計
9.1.1組閤電路的一般分析方法
9.1.2組閤電路的一般設計方法
9.2MSI構成的組閤邏輯電路
9.2.1編碼器
9.2.2譯碼器
9.2.3數據選擇器
9.2.4加法器
9.2.5數值比較器
本章小結
習題
第10章 時序邏輯電路引論
10.1時序邏輯電路的基本
概念
10.1.1時序邏輯電路的結構模型
10.1.2狀態錶和狀態圖
10.2存儲器件
10.3鎖存器
10.3.1RS鎖存器
10.3.2門控RS鎖存器
10.3.3D鎖存器
10.4觸發器
10.4.1主從觸發器
10.4.2邊沿觸發器
10.4.3集成觸發器
*10.5觸發器的脈衝工作特性
10.6觸發器邏輯功能的轉換
10.6.1代數法
10.6.2圖錶法
10.7觸發器應用舉例
本章小結
習題
第11章 時序邏輯電路的分析與
設計
11.1MSI構成的時序邏輯電路
11.1.1寄存器和移位寄存器
11.1.2計數器
11.1.3移位寄存器型計數器
11.1.4序列信號發生器
11.2同步時序邏輯電路的分析
方法
11.3同步時序邏輯電路的設計
方法
本章小結
習題
*第12章 存儲器和可編程邏輯
器件
12.1概述
12.2存儲器
12.2.1隻讀存儲器（ROM）
12.2.2隨機存取存儲器（RAM）
12.3可編程邏輯器件（PLD）
12.3.1可編程陣列邏輯（PAL）
12.3.2通用陣列邏輯（GAL）
12.3.3PLD的開發過程
本章小結
習題
第13章 脈衝信號的産生與整形
13.1555集成定時器
13.2施密特觸發器
13.2.1用555定時器構成的施密特
觸發器
13.2.2集成施密特觸發器
13.2.3施密特觸發器的應用
13.3單穩態觸發器
13.3.1用555定時器構成的單穩態
觸發器
13.3.2用施密特觸發器構成的單穩態
觸發器
13.3.3集成單穩態觸發器
13.3.4單穩態觸發器的應用
13.4多諧振蕩器
13.4.1用555定時器構成的多諧
振蕩器
13.4.2用施密特觸發器構成的多諧
振蕩器
13.4.3石英晶體多諧振蕩器
本章小結
習題

第四部分附錄
附錄A半導體分立元件和集成電路
型號命名方法
附錄B半導體器件産品說明書
舉例
B.1二極管（1N4148）技術指標及
參數
B.2三極管（2N4124）技術指標及
參數
B.3場效應管（2N7002）技術指標及
參數
附錄C電子電路教學常用EDA軟件
簡介
C.1幾種常用的EDA軟件
C.2Multisim仿真軟件
附錄D集成電路基礎知識
附錄E常見電子電路術語中英文
對照
附錄F習題參考解答
參考文獻

精彩書摘

　　（2）反嚮特性　　當二極管加上反嚮電壓時，加強瞭PN結內電場，隻有少數載流子在反嚮電壓作用下通過PN結，形成很小的反嚮電流。反嚮電壓增加但不超過某一數值時，反嚮電流很小且基本不變，此處的反嚮電流通常也稱為反嚮飽和電流，特性麯綫圖中此段區域稱為反嚮截止區。反嚮電流是由少數載流子形成的，它會隨溫度升高而增大，實際應用中，此值越小越好。　　當反嚮電壓增大到超過某一個值時（特性麯綫圖中的對應電壓稱為反嚮擊穿電壓，不同二極管的反嚮擊穿電壓不同），反嚮電流急劇增大，此時二極管失去瞭單嚮導電性，這種現象叫反嚮擊穿（屬於電擊穿）。反嚮擊穿後電流很大，電壓又很高，因而消耗在二極管上的功率很大，容易使PN結發熱而超過它的耗散功率，産生熱擊穿。　　産生反嚮擊穿的原因是，當外加反嚮電壓太高時，在強電場作用下，空穴和電子數量大大增多，使反嚮電流急劇增大，此時二極管失去單嚮導電性。反嚮擊穿可分為雪崩擊穿和齊納擊穿，二者的物理過程不同。齊納擊穿常發生在摻雜濃度高、空間電荷區較薄的PN結；雪崩擊穿常發生在摻雜濃度低、空間電荷區較厚的PN結。一般二極管中的電擊穿大多屬於雪崩擊穿；齊納擊穿常齣現在穩壓管（齊納二極管）中。　　值得注意的是，在反嚮電流和反嚮電壓的乘積不超過PN結容許的耗散功率這一前提下，兩種電擊穿過程是可逆的，反嚮電壓降低後，二極管可恢復其單嚮導電性；否則會因過熱而燒毀，此時擊穿過程就不可逆瞭，二極管就失效瞭。　　通過上述對特性麯綫的分析可得齣如下結論：第一，二極管是非綫性器件。在正嚮導通區，通過二極管的電流與加在其兩端的電壓近似成指數關係。第二，二極管隻有在一定電壓範圍內纔具有單嚮導電性。　　2．電路模型　　由於電路分析是以綫性原理為基礎的，而二極管是非綫性器件，顯然在分析二極管電路時會很不方便。工程上常用等效電路（或電路模型）來代替電子器件，從而在一定範圍內簡化計算，並導齣實際應用中器件的性能。根據電路模型計算所得的結果與實際值比較接近。以下介紹二極管常用的兩種模型：理想模型和簡化模型。　　（1）二極管的理想模型　　在實際電路中，如果電源電壓遠遠大於二極管的管壓降，且電路電阻遠遠大於二極管的平均電阻，就可以采用二極管的理想模型，此時的二極管可稱為理想二極管。　　理想模型忽略二極管正嚮導通電壓與反嚮T作時的反嚮電流，即認為伏安特性如圖2．8（a）所示。此時給二極管加正嚮電壓，則二極管相當於短路，加反嚮電壓則相當於斷路。理想二極管加不同極性電壓時的意義如圖2．9所示，相當於一個理想開關。　　……

前言/序言

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